【技术实现步骤摘要】
一种碳化硅平面栅MOSFET元胞结构及制作方法
本专利技术涉及半导体器件
，具体涉及一种碳化硅平面栅MOSFET元胞结构及制作方法。
技术介绍
碳化硅(SiliconCarbide，SiC)材料由于其三倍于硅(Silicon，Si)的禁带宽度，高的临界击穿电场、热导率和载流子饱和漂移速度，使得其成为制备电力电子领域核心功率器件绝佳的材料。另一方面，在功率器件家族中，MOSFET作为全控功率金属氧化物场效应晶体管(Metal-Oxide-SemiconductorFieldEffectTransistors，MOSFET)，具有开关速度快、输入阻抗高、驱动相对简单等特点。因此，SiC基功率MOSFET(SiCMOSFET)一方面拥有SiC材料的先天优势，另一方面还拥有单极输运导电机制的优势。但是相较于硅基MOSFET，碳化硅MOSFET由于其沟道界面态较差，使得碳化硅MOSFET的沟道迁移率较低，沟道电阻Rch很大。因为碳化硅临界击穿电场高，所以漂移区掺杂浓度可以提高，漂移区厚度可以降低，进而漂移区电阻可以降低。...
【技术保护点】
1.一种碳化硅平面栅MOSFET元胞结构，其特征在于，所述碳化硅平面栅MOSFET元胞结构自下而上覆盖有碳化硅外延层001、栅电极014及层间介质层015，所述碳化硅外延层001的掺杂类型为第一导电类型，所述碳化硅外延层001的上端中间部位设置有若干第一导电类型接触区013及第二导电类型接触区008，所述若干第一导电类型接触区013的尺寸小于所述第二导电类型接触区008的尺寸，所述若干第一导电类型接触区013位于所述第二导电类型接触区008中间，且沿MOSFET沟道长度方向间隔分布；所述栅电极014覆盖于所述第二导电类型接触区008上端的两侧，两侧的栅电极之间的第一间距小于...
【技术特征摘要】
1.一种碳化硅平面栅MOSFET元胞结构，其特征在于，所述碳化硅平面栅MOSFET元胞结构自下而上覆盖有碳化硅外延层001、栅电极014及层间介质层015，所述碳化硅外延层001的掺杂类型为第一导电类型，所述碳化硅外延层001的上端中间部位设置有若干第一导电类型接触区013及第二导电类型接触区008，所述若干第一导电类型接触区013的尺寸小于所述第二导电类型接触区008的尺寸，所述若干第一导电类型接触区013位于所述第二导电类型接触区008中间，且沿MOSFET沟道长度方向间隔分布；所述栅电极014覆盖于所述第二导电类型接触区008上端的两侧，两侧的栅电极之间的第一间距小于所述第二导电类型接触区008的宽度且大于所述若干第一导电类型接触区013的宽度；所述层间介质层015覆盖于所述栅电极014上，且两侧的层间介质层015之间的第二间距小于所述若干第一导电类型接触区013的宽度。
2.如权利要求1所述的碳化硅平面栅MOSFET元胞结构，其特征在于，每个第一导电类型接触区013的宽度为2um，所述第一间距为3um，所述第二间距为1.8um。
3.如权利要求1所述的碳化硅平面栅MOSFET元胞结构，其特征在于，每个第一导电类型接触区013的截面呈方形。
4.如权利要求1所述的碳化硅平面栅MOSFET元胞结构，其特征在于，所述第一导电类型为P型，所述第二导电类型为N型。
5.如权利要求1所述的碳化硅平面栅MOSFET元胞结构，其特征在于，所述第一导电类型可为N型，所述第二导电类型为P型。
6.一种碳化硅平面栅MOSFET元胞结构的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1、采用化学气相沉积法在一碳化硅外延层001表面沉积第一掩膜层002，并对所述第一掩膜层002进行光刻，以刻蚀出截面呈U型状的第一离子注入区域003；
S2、对所述第一离子注入区域003注入AL离子，以形成P阱；
S3、去掉所述第一掩膜层002，采用化学气相沉积法在所述碳化硅外延层001表面沉积第二掩膜层004，并对所述第二掩膜层004进行光刻，以刻蚀出第二...
【专利技术属性】
技术研发人员：杜蕾，孙军，张振中，和巍巍，汪之涵，
申请(专利权)人：深圳基本半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
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