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本发明公开了一种碳化硅平面栅MOSFET元胞结构，自下而上覆盖有碳化硅外延层、栅电极及层间介质层。所述碳化硅外延层的上端中间部位设置有若干第一导电类型接触区及第二导电类型接触区，所述若干第一导电类型接触区位于所述第二导电类型接触区中间，且沿...
该专利属于深圳基本半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳基本半导体有限公司授权不得商用。

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