半导体器件制造技术

公开了一种半导体器件。所述半导体器件包括：鳍型图案，位于基底上，鳍型图案在第一方向上延伸并且在第三方向上从基底突出；第一布线图案，位于鳍型图案上，第一布线图案在第三方向上与鳍型图案间隔开；以及栅电极，在垂直于第一方向和第三方向的第二方向上延伸并且围绕第一布线图案，栅电极包括在第二方向上与鳍型图案叠置的第一部分以及与栅电极的除了所述第一部分之外的其余部分对应的第二部分。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件于2019年6月11日在韩国知识产权局提交的标题为“半导体器件(Semiconductordevice)”的第10-2019-0068541号的韩国专利申请通过引用全部包含于此。
实施例涉及一种半导体器件。
技术介绍
随着信息媒体的迅速普及，半导体器件的功能已经得到了显著的发展。对于近来的半导体产品，已经要求用于提高竞争力的低生产成本和用于提供高质量的高集成密度。为了提高半导体产品的集成密度，可以对半导体器件执行按比例缩小。
技术实现思路
实施例涉及一种半导体器件，所述半导体器件包括：鳍型图案，位于基底上，鳍型图案在第一方向上延伸并且在第三方向上从基底突出；第一布线图案，位于鳍型图案上，第一布线图案在第三方向上与鳍型图案间隔开；以及栅电极，在垂直于第一方向和第三方向的第二方向上延伸并且围绕第一布线图案，栅电极包括在第二方向上与鳍型图案叠置的第一部分以及与栅电极的除了所述第一部分之外的其余部分对应的第二部分。实施例还可以提供一种半导体器件，所述半导体器件包括：鳍型图案，沿着第三本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：/n鳍型图案，位于基底上，鳍型图案在第一方向上延伸并且在第三方向上从基底突出；/n第一布线图案，位于鳍型图案上，第一布线图案在第三方向上与鳍型图案间隔开；以及/n栅电极，在垂直于第一方向和第三方向的第二方向上延伸并且围绕第一布线图案，栅电极包括在第二方向上与鳍型图案叠置的第一部分以及与栅电极的除了所述第一部分之外的其余部分对应的第二部分。/n

【技术特征摘要】
20190611 KR 10-2019-00685411.一种半导体器件，所述半导体器件包括：
鳍型图案，位于基底上，鳍型图案在第一方向上延伸并且在第三方向上从基底突出；
第一布线图案，位于鳍型图案上，第一布线图案在第三方向上与鳍型图案间隔开；以及
栅电极，在垂直于第一方向和第三方向的第二方向上延伸并且围绕第一布线图案，栅电极包括在第二方向上与鳍型图案叠置的第一部分以及与栅电极的除了所述第一部分之外的其余部分对应的第二部分。


2.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括至少部分地围绕鳍型图案的两个侧壁以限定鳍型图案的场绝缘膜。


3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，场绝缘膜包括与栅电极的所述第一部分叠置的第一区域和与场绝缘膜的除了所述第一区域之外的其余部分对应的第二区域。


4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，栅电极的底表面在第三方向上凹进。


5.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：
栅极间隔件，在第三方向上与第一布线图案至少部分地叠置；以及
源区和漏区，分别设置在第一布线图案的两侧上，
其中，栅电极设置在栅极间隔件之间。


6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中：
栅极间隔件限定沟槽，并且
半导体器件还包括沿着沟槽的侧壁以及沿着第一布线图案的周围延伸的栅极绝缘膜。


7.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括与第一布线图案在第三方向上间隔开并且与栅电极交叉的第二布线图案。


8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，第一布线图案在第二方向上的宽度大于第二布线图案在第二方向上的宽度。


9.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，鳍型图案与第一布线图案之间在第三方向上的距离大于第一布线图案与第二布线图案之间在第三方向上的距离。


10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，鳍型图案的侧壁与栅电极之间的距离远离鳍型图案的顶表面而增大。


11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，栅电极的第...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁炆承，崔恩憓，姜承模，金容丞，金正泽，崔珉姬，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR