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公开了一种半导体器件。所述半导体器件包括：鳍型图案，位于基底上，鳍型图案在第一方向上延伸并且在第三方向上从基底突出；第一布线图案，位于鳍型图案上，第一布线图案在第三方向上与鳍型图案间隔开；以及栅电极，在垂直于第一方向和第三方向的第二方向上延...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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