一种SOI MOSFET器件及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种SOI MOSFET器件及其制备方法，器件包括：位于埋氧层上的有源区和栅极；设置于有源区边缘，并沿栅极的宽度方向向两侧延伸的部分隔离区，部分隔离区与埋氧层之间间隔有部分有源区；设置于器件最外侧的浅槽隔离区；设置于浅槽隔离区和部分隔离区之间的体接触区，从体接触区底部至埋氧层设置有深注入区，深注入区连接体接触区和有源区。本发明专利技术提供的器件及方法，用以解决现有技术中的SOI器件边缘漏电的技术问题。实现了改善SOI器件边缘漏电的技术效果。

【技术实现步骤摘要】
一种SOIMOSFET器件及其制备方法
本公开内容涉及半导体领域，尤其涉及一种SOIMOSFET器件及其制备方法。
技术介绍
在现代CMOS工艺中，基于衬底材料的差异主要分为体硅和SOI两种工艺技术方案，其中SOI技术由于其器件的全介质隔离结构特点，使得与体硅技术相比较具有消除寄生闩锁效应、高速、低噪声、耐热、抗辐照等优点，从而得到广泛采用，成为CMOS工艺的重要组成部分。常规的MOSFET器件两端由于存在有源区边缘与栅条的交叠，因此存在前槽隔离区STI边缘纵向寄生FET结构。在SOI技术中，全介质隔离使STI与埋氧层BOX相连，这使得SOI器件的边缘纵向寄生MOS结构更加复杂，与体硅器件相比，其更容易产生边缘漏电，特别是在总剂量辐照环境下，STI与BOX氧化层中积累的正电荷将使有源区边缘杂质反型而形成导电沟道，引起寄生MOS结构漏电。常规SOI器件的边缘漏电分析如图1。栅条与有源区边缘交叠的位置纵向结构会存在寄生的边缘MOS结构，该寄生结构以主器件的源漏为源漏，场氧化层为栅介质。由于在工艺热过程中，STI及BOX氧化层会对阱掺本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种SOI MOSFET器件，其特征在于，包括：/n位于埋氧层上的有源区和栅极，所述有源区内设置有源区和漏区；/n设置于所述有源区边缘，并沿所述栅极的宽度方向向两侧延伸的部分隔离区，所述部分隔离区与所述埋氧层之间间隔有部分所述有源区；/n设置于所述器件最外侧的浅槽隔离区；/n设置于所述浅槽隔离区和所述部分隔离区之间的体接触区，从所述体接触区底部至所述埋氧层设置有深注入区，所述深注入区连接所述体接触区和所述有源区；其中，所述深注入区、所述体接触区和所述有源区的掺杂类型相同，所述源区和所述漏区均与所述有源区的掺杂类型不相同。/n

【技术特征摘要】
1.一种SOIMOSFET器件，其特征在于，包括：
位于埋氧层上的有源区和栅极，所述有源区内设置有源区和漏区；
设置于所述有源区边缘，并沿所述栅极的宽度方向向两侧延伸的部分隔离区，所述部分隔离区与所述埋氧层之间间隔有部分所述有源区；
设置于所述器件最外侧的浅槽隔离区；
设置于所述浅槽隔离区和所述部分隔离区之间的体接触区，从所述体接触区底部至所述埋氧层设置有深注入区，所述深注入区连接所述体接触区和所述有源区；其中，所述深注入区、所述体接触区和所述有源区的掺杂类型相同，所述源区和所述漏区均与所述有源区的掺杂类型不相同。


2.如权利要求1所述的器件，其特征在于：
所述深注入区的掺杂浓度和所述体接触区的掺杂浓度均大于所述有源区的掺杂浓度。


3.如权利要求1所述的器件，其特征在于：
所述部分隔离区与所述埋氧层之间保留的所述有源区的厚度大于等于50nm。


4.如权利要求1所述的器件，其特征在于：
所述深注入区的掺杂浓度大于1e18/cm3，所述有源区与所述器件的沟道区的掺杂浓度大于1e17/cm3。


5.如权利要求1所述的器件，其特征在于：
所述深注入区填充所述浅槽隔离区与所述埋氧层形成的夹角；
所述深注入区不超出所述部分隔离区，以与所述源区和所述漏区隔开。


6.一种SOIMOSFET器件的制备方法，其特征在于，包括：
提供衬底，所述衬底上设置有埋氧层，所述埋氧层上设置有半导体材料层；
在所述半导体材料层上形成器件最外侧的浅槽隔离区和沿所述器件的栅极的宽度方向向两侧延伸的部分隔离区，其中，所述浅槽隔离区向下延伸至与所述埋氧层连接，所述部分隔离区与所述埋氧层之间间隔有部分所述半导体材料层，所述部分隔离区和所述浅槽隔离区之间间隔有部分所述半导体材料层；...

【专利技术属性】
技术研发人员：李多力，曾传滨，高林春，王家佳，罗家俊，韩郑生，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11