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本发明公开了一种SOI MOSFET器件及其制备方法，器件包括：位于埋氧层上的有源区和栅极；设置于有源区边缘，并沿栅极的宽度方向向两侧延伸的部分隔离区，部分隔离区与埋氧层之间间隔有部分有源区；设置于器件最外侧的浅槽隔离区；设置于浅槽隔离区和...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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