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本申请提供一种半导体结构。该半导体结构包括由SOI衬底和过渡层沿垂直方向层叠形成的层叠结构，所述SOI衬底沿垂直方向包括依次叠设处理晶片、埋氧层以及顶层硅，所述过渡层位于所述顶层硅上，且所述过渡层的材料为AlN；其中，所述层叠结构内沿垂直方...
该专利属于苏州晶湛半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州晶湛半导体有限公司授权不得商用。

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