半导体装置制造方法及图纸

半导体装置包含置于基板上的第一晶体管、位于第一晶体管上方的第二晶体管以及导电轨线。第一晶体管包含在第一层上延伸的第一主动区域。第二晶体管包含在第一层上的第二层上延伸的第二主动区域。导电轨线在第三层上延伸。第一层至第三层在第一方向上彼此分开，以及第三层插置于第一与第二层之间。第一主动区域、第二主动区域以及导电轨线在布局图上重叠。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置
本案是关于一半导体装置，特别是关于一种在垂直堆叠的两个晶体管中间具有导电轨线的半导体装置。
技术介绍
随着半导体工业已经发展成纳米技术工艺节点，追求更高的装置密度，更高的性能和更低的成本，来自制造和设计问题的挑战已经导致开发三维设计，诸如包含鳍式晶体管(finfield-effecttransistor，FinFET)和全环绕(gate-all-around，GAA)FET的多栅极场效应晶体管(Field-effecttransistor，FET)。互补FET(complementaryfield-effecttransistor，CFET)通常包含设置在基板上的第一FET和设置在第一FET上方的第二FET。多个导电结构被配置为耦接包含在CFET中的部件。
技术实现思路
根据本案的一实施例，揭示一种半导体装置，包含设置在基板上方的第一晶体管，设置在第一晶体管上方的第二晶体管，以及导电轨线。第一晶体管包含在第一层上延伸的第一主动区域。第二晶体管包含在第一层之上的第二层上延伸的第二主动区域。导电轨线在第三层上延伸。第一层到第本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，包含：/n一第一晶体管，置于一基板上，其中该第一晶体管包含在一第一层上延伸的一第一主动区域；/n一第二晶体管，置于该第一晶体管上方，其中该第二晶体管包含在该第一层之上的一第二层上延伸的一第二主动区；以及/n一导电轨线，在一第三层上延伸，其中该第一层至该第三层在一第一方向上彼此分开，以及该第三层插置于该第一层与该第二层中间；/n其中该第一主动区域、该第二主动区域以及该导电轨线在一布局图中重叠。/n

【技术特征摘要】
20190627 US 62/867,831;20200609 US 16/897,1671.一种半导体装置，其特征在于，包含：
一第一晶体管，置于一基板上，其中该第一晶体管包含在一第一层上延伸的一第一主动区域；<...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏品岱，洪宗佑，陈蓉萱，江庭玮，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71