半导体器件及制造方法技术

本公开涉及半导体器件及制造方法。提供了一种半导体器件和方法，由此在衬底的第一区域和第二区域中形成一系列间隔体。第一区域中的一系列间隔体被图案化，而第二区域中的一系列间隔体被保护，以便将第一区域中的间隔体的性质与第二区域中的间隔体的性质分隔开。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及制造方法
本公开总体涉及半导体器件及制造方法。
技术介绍
半导体器件用于各种电子应用，例如个人计算机、蜂窝电话、数码相机和其他电子设备。半导体器件通常通过以下方式来制造：在半导体衬底上方按顺序地沉积绝缘层或电介质层、导电层和半导体材料层，并且使用光刻来图案化各种材料层以在其上形成电路组件和元件。半导体工业通过不断减小最小特征尺寸来提高各种电子组件(例如晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度，从而允许更多的组件被集成到给定的区域中。然而，随着最小特征尺寸的减小，出现了其他应该解决的问题。
技术实现思路
根据本公开的一个实施例，提供了一种半导体器件，包括：衬底，所述衬底包括第一区域中的第一鳍部和第二区域中的第二鳍部；位于所述第一鳍部上方的第一栅极堆叠和位于所述第二鳍部上方的第二栅极堆叠；与所述第一栅极堆叠相邻的第一多个间隔体，所述第一多个间隔体具有第一宽度，其中，所述第一多个间隔体的至少两个间隔体具有与所述第一栅极堆叠实体接触的侧壁；以及与所述第二栅极堆叠相邻的第二多个间隔体，所述第二多个间隔体具有大于所述第一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括：/n衬底，所述衬底包括第一区域中的第一鳍部和第二区域中的第二鳍部；/n位于所述第一鳍部上方的第一栅极堆叠和位于所述第二鳍部上方的第二栅极堆叠；/n与所述第一栅极堆叠相邻的第一多个间隔体，所述第一多个间隔体具有第一宽度，其中，所述第一多个间隔体的至少两个间隔体具有与所述第一栅极堆叠实体接触的侧壁；以及/n与所述第二栅极堆叠相邻的第二多个间隔体，所述第二多个间隔体具有大于所述第一宽度的第二宽度，其中，所述第二多个间隔体中的第一间隔体将所述第二栅极堆叠与所述第二多个间隔体内的每个其他间隔体间隔开。/n

【技术特征摘要】
20190628 US 62/868,083;20200203 US 16/780,0681.一种半导体器件，包括：
衬底，所述衬底包括第一区域中的第一鳍部和第二区域中的第二鳍部；
位于所述第一鳍部上方的第一栅极堆叠和位于所述第二鳍部上方的第二栅极堆叠；
与所述第一栅极堆叠相邻的第一多个间隔体，所述第一多个间隔体具有第一宽度，其中，所述第一多个间隔体的至少两个间隔体具有与所述第一栅极堆叠实体接触的侧壁；以及
与所述第二栅极堆叠相邻的第二多个间隔体，所述第二多个间隔体具有大于所述第一宽度的第二宽度，其中，所述第二多个间隔体中的第一间隔体将所述第二栅极堆叠与所述第二多个间隔体内的每个其他间隔体间隔开。


2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二多个间隔体中的所述第一间隔体具有“L”形结构。


3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一多个间隔体中的每一个间隔体具有所述第一宽度。


4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一多个间隔体包括至少三个间隔体，并且其中，所述第一多个间隔体内的每个间隔体具有与所述第一栅极堆叠实体接触的侧壁。


5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二多个间隔体中的第二个间隔体具有所述第一宽度。


6.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
第一栅极电介质，所述第一栅极电介质位于所述第一多个间隔体与所述第一鳍部之间，所述第一栅极电介质具有所述第一宽度；以及
第二栅极电介质，所述第二栅极电介质位于所述第二栅极堆叠与所述第二鳍部之间。


7.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：林士尧，高魁佑，赖启胜，林志翰，孙维中，张铭庆，陈昭成，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71