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本公开涉及半导体器件及制造方法。提供了一种半导体器件和方法，由此在衬底的第一区域和第二区域中形成一系列间隔体。第一区域中的一系列间隔体被图案化，而第二区域中的一系列间隔体被保护，以便将第一区域中的间隔体的性质与第二区域中的间隔体的性质分隔开...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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