半导体结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种半导体结构。本实用新型专利技术的特征在于，在两导电组件(例如栅极或触点结构)之间形成多层的电介质层。其中下方的电介质层具有双层凹陷顶面，因此当上方电介质层形成后可以在两电介质层之间形成包含有空孔的电介质层。此结构有助于降低两导电组件之间的寄生电容，提高整体组件质量。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构
本技术有关于半导体领域，尤其是一种具有多层的凹陷电介质层的半导体结构，具有降低导电组件之间寄生电容的功效。
技术介绍
由于半导体组件朝向高密度化发展，单元面积内的组件尺寸不断减小。半导体组件因其尺寸小，功能多和/或制造成本低而广泛用于电子工业。半导体组件分为储存逻辑数据的半导体组件，操作、处理逻辑数据操作的半导体逻辑组件，或是同时具有半导体储存组件的功能和半导体逻辑组件和/或其他半导体组件功能的混合半导体组件。随着半导体工艺之线宽不断缩小，半导体组件之尺寸不断地朝微型化发展，然而，由于目前半导体工艺之线宽微小化至一定程度后，具金属栅极之半导体结构的整合工艺亦浮现出更多挑战与瓶颈。
技术实现思路
本技术公开了一种半导体结构，包括衬底，两相邻的导电结构，位于所述衬底上方，以及第一电介质层与第二电介质层位于所述两相邻的导电结构之间，其中所述第二电介质层位于所述第一电介质层上，且所述第二电介质结构底部有一第一凹陷部以及一第二凹陷部，其中所述第二凹陷部低于所述第一凹陷部。可选的，其中所述衬底中更包含有复数个浅沟本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括:/n衬底；/n两相邻的导电结构，位于所述衬底上方；以及/n第一电介质层与第二电介质层位于所述两相邻的导电结构之间，其中所述第二电介质层位于所述第一电介质层上，且所述第二电介质结构底部有一第一凹陷部以及一第二凹陷部，其中所述第二凹陷部低于所述第一凹陷部。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括:
衬底；
两相邻的导电结构，位于所述衬底上方；以及
第一电介质层与第二电介质层位于所述两相邻的导电结构之间，其中所述第二电介质层位于所述第一电介质层上，且所述第二电介质结构底部有一第一凹陷部以及一第二凹陷部，其中所述第二凹陷部低于所述第一凹陷部。


2.根据权利要求1所述的半导体结构,其特征在于，其中所述衬底中更包含有复数个浅沟渠隔离，其中所述两导电结构位于所述浅沟渠隔离上。


3.根据权利要求2所述的半导体结构,其特征在于，其中所述第一凹陷部以及所述第二凹陷部位于所述浅沟渠隔离上。


4.根据权利要求2所述的半导体结构,其特征在于，其中所述衬底中更包含有复数个主动区，位于所述浅沟渠隔离旁。


5.根据权利要求4所述的半导体结构,其特征在于，其中所述第一凹陷部以及所述第二凹陷部均位于所述主动区上。


6.根据权利要求4所述的半导体结构,其特征在于，其中所述主动区包含有一鳍状结构。


7.根据权利要求1所述的半导体结构,其特征在于，其中所述第一凹陷部具有第一宽度，所述第二凹陷部具有第二宽度，且所述第二宽度小于所述第一宽度。


8.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：詹益旺，童宇诚，黄永泰，李甫哲，刘安淇，郭明峰，
申请(专利权)人：福建省晋华集成电路有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35