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本实用新型公开了一种半导体结构。本实用新型的特征在于，在两导电组件(例如栅极或触点结构)之间形成多层的电介质层。其中下方的电介质层具有双层凹陷顶面，因此当上方电介质层形成后可以在两电介质层之间形成包含有空孔的电介质层。此结构有助于降低两导电...
该专利属于福建省晋华集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过福建省晋华集成电路有限公司授权不得商用。

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