半导体结构制造技术

本公开涉及一种半导体结构及其形成方法。根据本发明专利技术实施例的结构包含互连结构，在互连结构上方的氧化铝层，以及在氧化铝层上方形成的晶体管。晶体管包含氧化亚铜。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构
本专利技术实施例涉及半导体制造技术，特别涉及半导体结构及其形成方法。
技术介绍
半导体集成电路(integratedcircuit，IC)产业已经历了指数型(exponential)成长。集成电路材料和设计上的技术进展已产生了数个世代的集成电路，每一世代皆较前一世代具有更小且更复杂的电路。在集成电路演进的历程中，当几何尺寸(亦即使用生产制程可以产生的最小元件(或线))缩减时，功能密度(亦即单位芯片面积的内连接装置数量)通常也增加。这种尺寸微缩的制程通常通过提高生产效率及降低相关成本而提供一些效益。这样的尺寸微缩也增加了加工和制造上的复杂度，并且要实现这些进展，需要在集成电路加工和制造中进行类似的发展。举例来说，作为尺寸微缩的可能路径，例如功率栅极或输入/输出(input/output，I/O)装置的周边装置可以从前段(front-end-of-line，FEOL)级移至更高的互连级，例如后段(back-end-of-line，BEOL)级中的那些。功率栅极用于在待机状态下关闭逻辑晶体管区块以降低静态功耗。功率栅极可以是设置于本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构，包括：/n一互连结构；/n一氧化铝层，在该互连结构上方；以及/n一晶体管，形成于该氧化铝层上方，/n其中该晶体管包括氧化亚铜。/n

【技术特征摘要】
20190529 US 62/853,962;20191030 US 16/66...

【专利技术属性】
技术研发人员：马克斯·乔汉斯·亨利卡斯·凡戴尔，彼德·瑞姆瓦尔，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71