集成电路装置制造方法及图纸

本公开提供一种集成电路装置，包括第一装置和第二装置。第一装置设置在第一电路区内，第一装置包括在第一方向上纵向延伸的多个第一半导体条带。第一半导体条带的相邻第一半导体条带在大抵垂直于第一方向的第二方向上彼此间隔。第二装置设置在第二电路区内，第二电路区在第一方向上相邻于第一电路区。第二装置包括在第一方向上纵向延伸的第二半导体条带，其中第二半导体条带的纵轴沿着第一方向的投影位于将第一半导体条带的相邻第一半导体条带分开的空间中。

【技术实现步骤摘要】
集成电路装置
本公开涉及一种集成电路装置，特别涉及可以降低接触电阻和接触电容的集成电路装置。
技术介绍
半导体集成电路(integratedcircuit；IC)工业呈指数成长。在IC材料及IC设计的技术进步产生多个IC世代，每一个IC世代比上一个IC世代有更小及更复杂的电路。在IC发展过程中，功能密度(例如:每一芯片区域的相连元件数量)通常都会增加，而几何尺寸(即工艺可作出的最小部件(或线路))会下降。尽管材料和工艺技术方面取得了进步，但是平面装置(例如金属氧化物半导体场效晶体管(metal-oxide-semiconductorfieldeffecttransistor；MOSFET)装置)的微缩面临了挑战。为了克服这些挑战，已发展了非平面晶体管，例如环绕式栅极(gate-all-around；GAA)晶体管和鳍式场效晶体管(fin-likefieldeffecttransistor；FinFET)。非平面晶体管的优点包括减少了短通道效应、减少了漏电以及较高的电流。尽管具有这些优点，但随着技术向更小的技术节点发展，随着特征尺寸的减小本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种集成电路装置，包括：/n一第一装置，设置在一第一电路区内，上述第一装置包括在一第一方向上纵向延伸的多个第一半导体条带，其中上述第一半导体条带的相邻上述第一半导体条带在一第二方向上彼此间隔，上述第二方向垂直于上述第一方向；以及/n一第二装置，设置在一第二电路区内，上述第二电路区在上述第一方向上相邻于上述第一电路区，上述第二装置包括在上述第一方向上纵向延伸的一第二半导体条带，其中上述第二半导体条带的一纵轴沿着上述第一方向的投影位于将上述第一半导体条带的相邻上述第一半导体条带分开的一空间中。/n

【技术特征摘要】
20190517 US 16/415,3201.一种集成电路装置，包括：
一第一装置，设置在一第一电路区内，上述第一装置包括在一第一方向上纵向延伸的多个第一半导体条带，其中上述第一半导体条带的相邻上述第一半导体条带在一第二方向上彼此间隔，上述第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖忠志，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71