【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】集成晶体管器件的硅化物结构及其提供方法
技术介绍
本专利技术的实施例一般涉及半导体技术,并且更具体地但不排他地,涉及晶体管的硅化物结构。在半导体处理中,晶体管通常形成在半导体晶圆上。在CMOS(互补金属氧化物半导体)技术中,晶体管通常属于两个类型中的一个:NMOS(负沟道金属氧化物半导体)或PMOS(正沟道金属氧化物半导体)晶体管。晶体管和其他器件可以互连,以形成执行若干有用功能的集成电路(IC)。这种IC的操作至少部分地取决于晶体管的性能,继而晶体管的性能易受工艺变化的影响。预期这种工艺变化——其可能影响对关于阈值电压、电阻率和/或其他性能特性的严格要求的符合性——会越来越多地约束下一代半导体制造技术的进一步缩放。FinFET是围绕半导体材料的薄带状物(通常称为鳍状物)构建的晶体管。所述晶体管包括标准场效应晶体管(FET)节点,所述节点包括栅极、栅极电介质、源极区和漏极区。这种器件的导电沟道位于栅极电介质之下的鳍状物的外部侧面上。具体地,电流沿着鳍状物的两个侧壁(垂直于衬底表面的侧面)或在鳍状物的两个侧壁内以及沿着鳍状物的顶部(平行于衬底表面的侧面)流动。因为这种构造的导电沟道基本上沿着鳍状物的三个不同的外部平面区存在,所以这种FinFET设计有时被称为三栅极FinFET。其他类型的FinFET构造(诸如所谓的双栅极FinFET)也是可用的,其中,导电沟道主要仅沿着鳍状物的两个侧壁(而不沿着鳍状物的顶部)存在。存在与制造此类基于鳍状物的晶体管关联的许多重要的问题。附图说明在附图的图中以示例而非限制 ...
【技术保护点】
1.一种集成电路(IC)器件,所述IC器件包括:/n晶体管结构,所述晶体管结构包括:/n沟道区,所述沟道区包括半导体;/n沿着所述沟道区的侧面的第一层,所述第一层包括电介质材料;以及/n沿着所述第一层的侧面的第二层,所述第二层包括硅化物,其中,所述第二层与弯曲或成角度的表面基本上共形,其中,所述第二层的平均最小厚度等于或小于20纳米(nm),并且其中,所述第二层沿着所述弯曲或成角度的所述表面的高度的跨度大于或等于与所述第二层的所述平均最小厚度的三倍相等的距离。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种集成电路(IC)器件,所述IC器件包括:
晶体管结构,所述晶体管结构包括:
沟道区,所述沟道区包括半导体;
沿着所述沟道区的侧面的第一层,所述第一层包括电介质材料;以及
沿着所述第一层的侧面的第二层,所述第二层包括硅化物,其中,所述第二层与弯曲或成角度的表面基本上共形,其中,所述第二层的平均最小厚度等于或小于20纳米(nm),并且其中,所述第二层沿着所述弯曲或成角度的所述表面的高度的跨度大于或等于与所述第二层的所述平均最小厚度的三倍相等的距离。
2.根据权利要求1所述的IC器件,其中,所述硅化物包括:
硅;
一种或多种元素,所述一种或多种元素中的每种元素来自IIIa族、IVa族或Va族中的相应的一个;以及
至少两种金属,其中,所述至少两种金属中的第一种来自IIIa族、IVa族、Va族、IVb族、Vb族、VIb族、VIIB族或VIIIb族。
3.根据权利要求2所述的IC器件,其中,所述至少两种金属包括铝(Al)、镓(Ga)、铪(Hf)、铟(In)、铌(Nb)、锇(Os)、钌(Ru)、钽(Ta)、钛(Ti)、钨(W)、钇(Y)或锆(Zr)。
4.根据权利要求2所述的IC器件,其中,所述至少两种金属中的第二种来自IIIa族、IVa族、Va族、IVb族、Vb族、VIb族、VIIB族或VIIIb族。
5.根据权利要求1所述的IC器件,其中,所述硅化物包括硅和组分M,所述组分M包括:
一种或多种过渡金属元素,所述一种或多种过渡金属元素中的每种过渡金属元素来自IVb族、Vb族、VIb族、VIIB族或VIIIb族中的相应的一个;或者
一种或多种金属元素,所述一种或多种金属元素中的每种金属元素来自IIIa族、IVa族或Va族中的相应的一个。
6.根据权利要求5所述的IC器件,其中,所述组分M包括金属Ml、M2,所述金属M1、M2各自具有不同的相应金属类型。
7.根据权利要求5所述的IC器件,其中,所述组分M包括铝(Al)、铪(Hf)、钽(Ta)、钛(Ti)或钨(W)。
8.根据权利要求1所述的IC器件,其中,所述IC器件包括鳍状物结构,所述鳍状物结构包括在所述晶体管结构的源极区与所述晶体管结构的漏极区之间沿着所述鳍状物结构的长度延伸的所述沟道区,其中,所述第二层的周界形成平行于所述鳍状物结构的所述长度延伸的边缘结构。
9.一种用于制造晶体管结构的方法,所述方法包括:
形成包括半导体的沟道区;
在所述沟道区之上沉积包括电介质材料的第一层;以及
在所述第一层上形成包括硅化物的第二层,其中,所述第二层与弯曲或成角度的表面基本上共形,其中,所述第二层的平均最小厚度等于或小于20纳米(nm),并且其中,所述第二层沿着所述弯曲或成角度的所述表面的高度的跨度大于或等于与所述第二层的所述平均最小厚度的三倍相等的距离。
10.根据权利要求9所述的方法,其中,形成所述第二层包括:
在所述第一层上沉积第一材料;
在沉积所述第一材料之后,在所述第一材料的一部分上沉积第二材料;以及
使所述第一材料的所述部分与所述第二材料的一部分反应,以形成所述硅化物。
11.根据权利要求10所述的方法,其中,形成所述第二层包括在沉积所述第二材料之前蚀刻掉所述第一材料的另一部分。
12.根据权利要求10所述的方法,其中,所述第一材料和所述第二材料中的一个包括组分M,所述组分M包括一种或多种金属元素,并且其中,所述第一材料和所述第二材料中的另一个包括硅和组分D两者,所述组分D包括一种或多种元素,所述一种或多种元素中的每种元素来自IIIa族、IVa族或Va族中的相应的一个。
13.根据权利要求9所述的方法,其中,所述硅化物包括:
硅;
一种或多种元素,所述一种或多种元素中的每种元素来自IIIa族、IVa族或Va族中的相应的一个;以及
至少两种金属,其中,所述至少两种金属中的第一种来自III...
【专利技术属性】
技术研发人员:O·阿克顿,J·施泰格瓦尔德,A·默西,S·玛多克斯,J·胡,
申请(专利权)人:英特尔公司,
类型:发明
国别省市:美国;US
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