半导体装置以及半导体封装装置制造方法及图纸

本发明专利技术的半导体装置及半导体封装装置，具有：半导体基板，包括第一导电型的杂质；低浓度杂质层，形成于半导体基板的正面，包括浓度比半导体基板低的第一导电型的杂质；背面电极，形成于半导体基板的背面，由金属材料构成；第一、第二晶体管，分别形成于低浓度杂质层内的邻接的第一、第二区域，并在低浓度杂质层的正面具有源极电极及栅极电极；半导体基板作为共同漏极区域发挥功能，背面电极厚度为25μm以上35μm以下，在平面视下，半导体基板以向背面电极侧凸起的方式弯曲，设其对角尺寸为Lmm时，背面电极厚度相对于包括半导体基板和低浓度杂质层的半导体层的比例为(－0.48×L+2.07)以上(－0.48×L+2.45)以下。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置以及半导体封装装置本申请是申请日为2017年8月1日、申请号为201780047044.1、专利技术名称为“半导体装置、半导体模块、以及半导体封装装置”的专利技术专利申请的分案。
本公开涉及，半导体装置以及半导体模块，尤其涉及多晶体管芯片以及安装有多晶体管芯片的模块。
技术介绍
在硅基板上形成晶体管的半导体装置，需要导通电阻的降低、以及因热而在芯片产生的弯曲的抑制。通过低导通电阻以及小的芯片弯曲，能够使电路的工作效率以及安装的成品率分别提高。例如，专利文献1公开，为了抑制半导体装置的使用时的热所产生的弯曲，正面电极和背面电极，由具有相同的线膨涨系数的金属构成，各个厚度也彼此相同或大致相同的结构的半导体装置。专利文献2示出，将正面电极以及背面电极的厚度设为10μm至20μm，以作为一个例子。而且，在专利文献1中，没有探讨导通电阻的降低。并且，专利文献2公开，能够改善形成在硅基板的背面侧的背面电极的弯曲量、以及导通电阻值的半导体装置、以及其制造方法。根据专利文献2，得到背面电极的厚度为2μm左右且导通电阻为3mΩ左本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，其中，具有：/n半导体基板，由硅构成且包括第一导电型的杂质；/n低浓度杂质层，形成于所述半导体基板的正面，并且与所述半导体基板的正面接触，包括比所述半导体基板的所述第一导电型的杂质的浓度低的浓度的所述第一导电型的杂质；/n背面电极，形成于所述半导体基板的背面，并且与所述半导体基板的背面接触，由金属材料构成；/n第一纵型MOS晶体管，形成于所述低浓度杂质层内的第一区域；以及/n第二纵型MOS晶体管，形成于所述低浓度杂质层内的与所述第一区域邻接的第二区域，/n所述第一纵型MOS晶体管在所述低浓度杂质层的正面具有第一源极电极以及第一栅极电极，/n所述第二纵型MOS晶体管在所述低浓...

【技术特征摘要】
20160802 US 62/3699211.一种半导体装置，其中，具有：
半导体基板，由硅构成且包括第一导电型的杂质；
低浓度杂质层，形成于所述半导体基板的正面，并且与所述半导体基板的正面接触，包括比所述半导体基板的所述第一导电型的杂质的浓度低的浓度的所述第一导电型的杂质；
背面电极，形成于所述半导体基板的背面，并且与所述半导体基板的背面接触，由金属材料构成；
第一纵型MOS晶体管，形成于所述低浓度杂质层内的第一区域；以及
第二纵型MOS晶体管，形成于所述低浓度杂质层内的与所述第一区域邻接的第二区域，
所述第一纵型MOS晶体管在所述低浓度杂质层的正面具有第一源极电极以及第一栅极电极，
所述第二纵型MOS晶体管在所述低浓度杂质层的正面具有第二源极电极以及第二栅极电极，
所述半导体基板作为所述第一纵型MOS晶体管的第一漏极区域以及所述第二纵型MOS晶体管的第二漏极区域的共同漏极区域发挥功能，
所述背面电极的厚度为25μm以上35μm以下，
所述半导体基板以在平面视中向所述背面电极侧凸起的方式弯曲，
在将所述半导体基板的平面视的对角尺寸设为Lmm时，
所述背面电极的厚度相对于包括所述半导体基板和所述低浓度杂质层的半导体层的比例为(－0.48×L+2.07)以上，
所述背面电极的厚度相对于包括所述半导体基板和所述低浓度杂质层的半导体层的比例为(－0.48×L+2.45)以下。


2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，
在所述低浓度杂质层的厚度为2.18μm以下、且所述半导体基板的平面视的对角尺寸为2.69mm以上的情况下，
所述比例为0.78以上1.15以下。


3.如权利要求2所述的半导体装置，其中，
在所述低浓度杂质层的厚度为2.18μm以下且所述对角尺寸为2.61mm以上2.69mm以下、或者所述低浓度杂质层的厚度为2.18μm以上2.24μm以下且所述对角尺寸为2.69mm以上的情况下，
所述比例为0.94以上1.15以下。


4.如权利要求1所述的半导体装置，其中，
在所述低浓度杂质层的厚度为2.18μm以下、且所述半导体基板的平面视的对角尺寸为3.63mm以上的情况下，
所述比例为0.33以上0.70以下。


5.如权利要求4所述的半导体装置，其中，
在所述低浓度杂质层的厚度为2.18μm以下且所述对角尺寸为3.55mm以上3.63mm以下、或者所述低浓度杂质层的厚度为2.18μm以上2.24μm以下且所述对角尺寸为3.63mm以上的情况下，
所述比例为0.43以上0.70以下。


6.如权利要求1所述的半导体装置，其中，
在所述低浓度杂质层的厚度为2.75μm以下、且所述半导体基板的平面视的对角尺寸为3.92mm以上的情况下...

【专利技术属性】
技术研发人员：安田英司，今井俊和，大河亮介，今村武司，坂本光章，吉田一磨，平子正明，升元康之，曾田茂稔，太田朋成，
申请(专利权)人：松下半导体解决方案株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP