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本发明的半导体装置及半导体封装装置，具有：半导体基板，包括第一导电型的杂质；低浓度杂质层，形成于半导体基板的正面，包括浓度比半导体基板低的第一导电型的杂质；背面电极，形成于半导体基板的背面，由金属材料构成；第一、第二晶体管，分别形成于低浓度...
该专利属于松下半导体解决方案株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过松下半导体解决方案株式会社授权不得商用。

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