半导体器件及其形成方法技术

半导体器件包括第一单元行和第二单元行。第一单元行在第一方向上延伸。第一单元行中的每个具有第一行高度。第二单元行在第一方向上延伸。第二个单元行中的每个具有第二行高度。第一行高度大于第二行高度。第一单元行和第二单元行以周期性序列交错。以周期性序列的第一单元行的第一行数量大于以周期性序列的第二单元行的第二行数量。本发明专利技术的实施例还设计形成半导体器件的方法。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其形成方法
本专利技术的实施例涉及半导体器件及其形成方法。
技术介绍
随着集成电路的按比例缩小的增加以及对集成电路的更高速度的要求越来越高，晶体管需要具有更高的驱动电流同时越来越小的尺寸。因此开发了鳍式场效应晶体管(finFET)，并且finFET经常用于在集成电路中实现晶体管和其他器件。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供了一种半导体器件，包括：多个第一单元行，在第一方向上延伸，第一单元行中的每个具有第一行高度；以及多个第二单元行，在第一方向上延伸，第二单元行中的每个具有第二行高度，其中，第一行高度大于第二行高度，第一单元行和第二单元行以周期性序列交错，以周期性序列的第一单元行的第一行数量大于以周期性序列的第二行单元的第二行数量。本专利技术的实施例还提供了一种半导体器件，包括：多个第一单元行，在第一方向上延伸，第一单元行中的每个具有第一行高度；多个第二单元行，在第一方向上延伸，第二单元行中的每个具有第二行高度，其中，第一行高度大于第二行高度；多个第一电源轨，在第一方向上延伸，第一电源轨中的每个设置在第本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括：/n多个第一单元行，在第一方向上延伸，所述第一单元行中的每个具有第一行高度；以及/n多个第二单元行，在所述第一方向上延伸，所述第二单元行中的每个具有第二行高度，/n其中，所述第一行高度大于所述第二行高度，所述第一单元行和所述第二单元行以周期性序列交错，以所述周期性序列的所述第一单元行的第一行数量大于以所述周期性序列的所述第二行单元的第二行数量。/n

【技术特征摘要】
20190619 US 62/863,656;20200422 US 16/855,8821.一种半导体器件，包括：
多个第一单元行，在第一方向上延伸，所述第一单元行中的每个具有第一行高度；以及
多个第二单元行，在所述第一方向上延伸，所述第二单元行中的每个具有第二行高度，
其中，所述第一行高度大于所述第二行高度，所述第一单元行和所述第二单元行以周期性序列交错，以所述周期性序列的所述第一单元行的第一行数量大于以所述周期性序列的所述第二行单元的第二行数量。


2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
多个第一电源轨，在所述第一方向上延伸，所述第一电源轨中的每个设置在所述第一单元行中的两个之间的边界处；以及
多个第二电源轨，在所述第一方向上延伸，所述第二电源轨中的每个设置在所述第一单元行中的一个和所述第二单元行中的一个之间的边界处，
其中，第一电源轨中的每个的第一轨宽度比所述第二电源轨中的每个的第二轨宽度宽。


3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一单元行中的每个包括多个第一有源区，所述第一有源区中的每个在所述第一方向上连续地延伸跨过所述第一单元行中的一个，并且，所述第二单元行中的每个包括多个第二有源区，所述第二有源区中的每个在所述第一方向上连续地延伸跨过所述第二单元行中的一个。


4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述第一单元行中的每个中的所述第一有源区包括两个n型鳍形结构和两个p型鳍形结构，所述第二单元行中的每个中的所述第二有源区包括一个n型鳍形结构和一个p型鳍形结构。


5.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述第一单元行中的每个中的所述第一有源区的鳍形结构的数量大于所述第二单元行中的每个中的所述第二有源区的鳍...

【专利技术属性】
技术研发人员：庄惠中，陈向东，鲁立忠，林姿颖，侯永清，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71