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半导体器件包括第一单元行和第二单元行。第一单元行在第一方向上延伸。第一单元行中的每个具有第一行高度。第二单元行在第一方向上延伸。第二个单元行中的每个具有第二行高度。第一行高度大于第二行高度。第一单元行和第二单元行以周期性序列交错。以周期性序...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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