器件用热沉、半导体器件及器件用热沉的制备方法技术

本申请涉及一种器件用热沉、半导体器件及器件用热沉的制备方法，本申请的器件用热沉包括：单晶碳化硅层、第一过渡层、第一金属堆叠层、第二过渡层和第二金属堆叠层，单晶碳化硅层具有两个相对设置的第一表面和第二表面，第一表面和第二表面均为毛面；第一过渡层设于第一表面上；第一金属堆叠层设于第一过渡层上；第二过渡层设于第二表面上；第二金属堆叠层设于第二过渡层上；其中，第一金属堆叠层与第二金属堆叠层的材质和层数不同。本申请采用单晶碳化硅层作为导热绝缘基板，导热率较高。再者，本申请通过单晶碳化硅层表面进行毛化处理，提高单晶碳化硅层的待加工表面与过渡层的结合强度。

【技术实现步骤摘要】
器件用热沉、半导体器件及器件用热沉的制备方法
本申请涉及半导体的
，具体而言，涉及一种器件用热沉、半导体器件及器件用热沉的制备方法。
技术介绍
半导体器件(semiconductordevice)是导电性介于良导电体与绝缘体之间，利用半导体材料特殊电特性来完成特定功能的电子器件，可用来产生、控制、接收、变换、放大信号和进行能量转换。半导体器件中常需要设置热沉（heatsink）以帮助散热从而稳定工作温度。现有技术，有将氮化铝（AlN）陶瓷表面金属化作为芯片封装热沉，它热导率约200W/（m·K），导热率不高，导致芯片节温升高，光电效率下降，可靠性下降，芯片功率不高。
技术实现思路
本申请的目的是提供一种器件用热沉、半导体器件及器件用热沉的制备方法，其采用单晶碳化硅层作为导热绝缘基板，导热率较高。为了实现上述目的，第一方面，本专利技术提供一种应用于半导体器件的器件用热沉，包括：单晶碳化硅层、第一过渡层、第一金属堆叠层、第二过渡层和第二金属堆叠层，所述单晶碳化硅层具有两个相对设置的第一表面和第二表面，所述第本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种器件用热沉，其特征在于，应用于半导体器件，所述器件用热沉包括：/n单晶碳化硅层，具有两个相对设置的第一表面和第二表面，所述第一表面和所述第二表面均为毛面；/n第一过渡层，设于所述第一表面上；/n第一金属堆叠层，设于所述第一过渡层上；/n第二过渡层，设于所述第二表面上；以及/n第二金属堆叠层，设于所述第二过渡层上；/n其中，所述第一金属堆叠层与第二金属堆叠层的材质和层数不同。/n

【技术特征摘要】
1.一种器件用热沉，其特征在于，应用于半导体器件，所述器件用热沉包括：
单晶碳化硅层，具有两个相对设置的第一表面和第二表面，所述第一表面和所述第二表面均为毛面；
第一过渡层，设于所述第一表面上；
第一金属堆叠层，设于所述第一过渡层上；
第二过渡层，设于所述第二表面上；以及
第二金属堆叠层，设于所述第二过渡层上；
其中，所述第一金属堆叠层与第二金属堆叠层的材质和层数不同。


2.根据权利要求1所述的器件用热沉，其特征在于，所述第一金属堆叠层包括：
第一铜层，设于所述第一过渡层背离所述第一表面的表面上；
第一镍层，设于所述第一铜层背离第一过渡层的表面上；
第一金层，设于所述第一镍层背离第一铜层的表面上；以及
焊料附着层，设于所述第一金层背离第一镍层的表面上；
所述第二金属堆叠层包括：
第二镍层，设于所述第二过渡层背离第二表面的表面上；以及
第二金层，设于所述第二镍层背离第二过渡层的表面上。


3.根据权利要求1或2所述的器件用热沉，其特征在于，所述第一表面和所述第二表面上分别开设有至少一个加工槽，在每个所述加工槽内填充有填料。


4.根据权利要求3所述的器件用热沉，其特征在于，所述填料的材质包括铜，所述第一过渡层和所述第二过渡层的材质均包括钛。


5.一种半导体器件，其特征在于，包括功率部件以及权利要求1至4任一项所述的器件用热沉，所述功率部件设于所述器件用热沉上。


6.一种器件用热沉的制备方法，其特征在于，包括：
提供单晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：雷谢福，宋院鑫，杨国文，张艳春，赵卫东，
申请(专利权)人：度亘激光技术苏州有限公司，苏州度亘光电器件有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32