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本申请涉及一种器件用热沉、半导体器件及器件用热沉的制备方法，本申请的器件用热沉包括：单晶碳化硅层、第一过渡层、第一金属堆叠层、第二过渡层和第二金属堆叠层，单晶碳化硅层具有两个相对设置的第一表面和第二表面，第一表面和第二表面均为毛面；第一过渡...该专利属于度亘激光技术(苏州)有限公司;苏州度亘光电器件有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过度亘激光技术(苏州)有限公司;苏州度亘光电器件有限公司授权不得商用。