一种芯片的封装结构及其封装方法技术

本发明专利技术公开了一种芯片的封装结构及其封装方法，属于半导体封装技术领域。其第一塑封体的芯片单元本体（10）上设置有芯片电极（113）、钝化层Ⅰ（210）、绝缘层Ⅰ（310），其原始对位标记（120）处设置对位标记保护块（150），所述绝缘层Ⅰ开口Ⅰ（311）内设置金属连接件Ⅰ，塑封料Ⅰ（510）将对位标记保护块（150）、金属连接件Ⅰ进行塑封，所述塑封料Ⅱ（610）包覆第一塑封体形成第二塑封体，所述再布线金属层（710）参考对位标记保护块（150）设置于第二塑封体上方，所述再布线金属层（710）上方设置钝化层Ⅱ（810）和金属连接件Ⅱ（900）。本发明专利技术能够有效地保护芯片正面，提高了产品的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种芯片的封装结构及其封装方法
本专利技术涉及一种芯片的封装结构及其封装方法，属于半导体芯片封装

技术介绍
目前常见的扇出型封装产品，如图1所示，其包括具有有源表面的芯片单元本体100，所述芯片单元本体100的有源表面设置有芯片电极101，所述芯片单元本体100的有源表面和芯片电极101的上表面设置有保护层200，所述保护层200在芯片电极101上方开设保护层开口，所述保护层开口内设置金属凸块300，所述金属凸块300通过保护层开口与芯片电极101连接；所述芯片单元本体100的背面设置背面保护层600。目前芯片封装产品的正面的保护较弱，当芯片正面受力较大时容易发生芯片功能失效问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有封装技术不足，提供一种芯片正面受到保护的芯片封装结构及其封装方法。本专利技术的目的是这样实现的：本专利技术提供了一种芯片的封装结构，其包括第一塑封体、塑封料Ⅱ、再布线金属层、钝化层Ⅱ和金属连接件Ⅱ，所述第一塑封体包括具有有源表面的芯片单元本体、原始对位标记和塑封料Ⅰ，所述芯片单元本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种芯片的封装结构，其特征在于，其包括第一塑封体、塑封料Ⅱ（610）、再布线金属层（710）、钝化层Ⅱ（810）和金属连接件Ⅱ（900），/n所述第一塑封体包括具有有源表面的芯片单元本体（10）、原始对位标记（120）和塑封料Ⅰ（510），所述芯片单元本体（10）的有源表面设置有芯片电极（113），所述芯片单元本体（10）的有源表面和芯片电极（113）的上表面设置有钝化层Ⅰ（210）和钝化层Ⅰ开口（213），所述钝化层Ⅰ开口（213）内设置绝缘层Ⅰ（310）和绝缘层Ⅰ开口Ⅰ（311）、绝缘层Ⅰ开口Ⅱ（312），所述绝缘层Ⅰ开口Ⅰ（311）露出芯片电极（113）的上表面，所述绝缘层Ⅰ开口Ⅰ（...

【技术特征摘要】
1.一种芯片的封装结构，其特征在于，其包括第一塑封体、塑封料Ⅱ（610）、再布线金属层（710）、钝化层Ⅱ（810）和金属连接件Ⅱ（900），
所述第一塑封体包括具有有源表面的芯片单元本体（10）、原始对位标记（120）和塑封料Ⅰ（510），所述芯片单元本体（10）的有源表面设置有芯片电极（113），所述芯片单元本体（10）的有源表面和芯片电极（113）的上表面设置有钝化层Ⅰ（210）和钝化层Ⅰ开口（213），所述钝化层Ⅰ开口（213）内设置绝缘层Ⅰ（310）和绝缘层Ⅰ开口Ⅰ（311）、绝缘层Ⅰ开口Ⅱ（312），所述绝缘层Ⅰ开口Ⅰ（311）露出芯片电极（113）的上表面，所述绝缘层Ⅰ开口Ⅰ（311）内设置金属连接件Ⅰ，所述金属连接件Ⅰ通过绝缘层Ⅰ开口Ⅰ（311）与芯片电极（113）连接，所述绝缘层Ⅰ开口Ⅱ（312）露出原始对位标记（120），所述原始对位标记（120）处通过绝缘层Ⅰ开口Ⅱ（312）设置对位标记保护块（150），
所述塑封料Ⅰ（510）将金属连接件Ⅰ、对位标记保护块（150）进行塑封，其上表面与金属连接件Ⅰ的上表面齐平；
所述塑封料Ⅱ（610）包覆第一塑封体的四周和背面，形成第二塑封体，其上表面与第一塑封体的上表面齐平；
所述再布线金属层（710）参考对位标记保护块（150）设置于第二塑封体上方，所述再布线金属层（710）包括若干层金属层和绝缘填充层，上下相邻的金属层之间选择性连接，绝缘填充层设置于金属层之间，所述再布线金属层（710）的最下起始层设置下层焊盘（713）、最上终止层设置上层焊盘（715），所述下层焊盘（713）和上层焊盘（715）均露出绝缘填充层，其中所述下层焊盘（713）与第一塑封体的金属连接件Ⅰ的上表面连接；
所述再布线金属层（710）上方设置钝化层Ⅱ（810）和钝化层Ⅱ开口（813），所述钝化层Ⅱ开口（813）露出再布线金属层（710）的上层焊盘（715）；
所述钝化层Ⅱ（810）上方设置金属连接件Ⅱ（900），所述金属连接件Ⅱ（900）与再布线金属层（710）的上层焊盘（715）连接。


2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述金属连接件Ⅰ由下而上依次设置粘附阻挡层（410）、金属种子层Ⅰ和金属凸块（430），所述粘附阻挡层（410）是一层或两层材料构成的复合层。


3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述金属凸块（430）的横截面形状包括但不限于矩形、圆形或椭圆形。


4.根据权利要求2或3所述的封装结构，其特征在于，所述金属种子层Ⅰ和金属凸块（430）为一体结构。


5.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述金属连接件Ⅱ（900）由下而上依次包括粘附层（910）、金属种子层Ⅱ、金属柱（920）和焊锡球（950）。


6.根据权利要求5所述的封装结构，其特征在于，所述金属种子层Ⅱ和金属柱（920）为一体结构，所述金属柱（920）的横截面形状包括但不限于矩形、圆形或椭圆形。


7.一种芯片的封装结构的封装方法，工艺步骤如下：
步骤一，取一集成电路晶圆（100），其上表面设有芯片电极（113）、原始对位标记（120）和钝化层Ⅰ（210）、钝化层Ⅰ开口（213），芯片电极（113）在集成电路晶圆（100）内实现电通讯并部分露出钝化层Ⅰ开口（213），形成芯片电极（1...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐虹，陈栋，金豆，徐霞，陈锦辉，郑芳，
申请(专利权)人：江阴长电先进封装有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32