【技术实现步骤摘要】
芯片封装结构及其制作方法
本专利技术涉及芯片封装
，尤其涉及一种芯片封装结构及其制作方法。
技术介绍
近年来，随着电路集成技术的不断发展，电子产品越来越向小型化、智能化、高集成度、高性能以及高可靠性方向发展。封装技术不但影响产品的性能，而且还制约产品的小型化。现有芯片封装中，打线为一种常见的封装工艺，即利用金线将芯片上的焊盘电连接至引线框架上的引脚。然而，一方面金线大致呈抛物线型，最高处高于芯片的上表面，这造成封装高度较高，不利于降低芯片封装结构的厚度；另一方面，芯片被塑封层包覆，散热效果较差。有鉴于此，本专利技术提供一种新的芯片封装结构及芯片封装方法，以解决上述技术问题。
技术实现思路
本专利技术的专利技术目的是提供一种芯片封装结构及其制作方法，以降低封装结构的高度以及提高散热性能。为实现上述目的，本专利技术的第一方面提供一种芯片封装结构，包括：引线槽，包括底壁、若干侧壁以及所述底壁与各个所述侧壁围合成的容纳槽；裸片，包括背电极与若干焊盘，所述背电极位于所述裸片的背...
【技术保护点】
1.一种芯片封装结构，其特征在于，包括：/n引线槽，包括底壁、若干侧壁以及所述底壁与各个所述侧壁围合成的容纳槽；/n裸片，包括背电极与若干焊盘，所述背电极位于所述裸片的背面，所述焊盘位于所述裸片的正面；至少所述裸片的背电极位于所述容纳槽内，且通过导电胶与所述引线槽电连接；/n塑封层，包覆所述裸片与所述引线槽，所述塑封层的正面暴露所述焊盘与所述引线槽的至少一个侧壁的顶端，所述塑封层的背面暴露所述引线槽的底壁；/n第一引脚，位于所述引线槽的侧壁的顶端与所述塑封层的正面上，用于将所述背电极电引出；以及/n多个第二引脚，位于所述焊盘与所述塑封层的正面上，用于将所述焊盘电引出。/n
【技术特征摘要】
1.一种芯片封装结构，其特征在于，包括：
引线槽，包括底壁、若干侧壁以及所述底壁与各个所述侧壁围合成的容纳槽；
裸片，包括背电极与若干焊盘，所述背电极位于所述裸片的背面，所述焊盘位于所述裸片的正面；至少所述裸片的背电极位于所述容纳槽内，且通过导电胶与所述引线槽电连接；
塑封层，包覆所述裸片与所述引线槽，所述塑封层的正面暴露所述焊盘与所述引线槽的至少一个侧壁的顶端，所述塑封层的背面暴露所述引线槽的底壁；
第一引脚，位于所述引线槽的侧壁的顶端与所述塑封层的正面上，用于将所述背电极电引出；以及
多个第二引脚，位于所述焊盘与所述塑封层的正面上，用于将所述焊盘电引出。
2.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述裸片的正面覆盖有保护层，所述保护层暴露所述焊盘；所述塑封层的正面还暴露所述保护层；所述第二引脚还位于所述保护层上。
3.根据权利要求1或2所述的芯片封装结构，其特征在于，所述裸片为MOSFET裸片或IGBT裸片。
4.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述引线槽为一体结构。
5.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述导电胶包括纳米铜/导电聚合物复合材料。
6.根据权利要求5所述的芯片封装结构，其特征在于，所述纳米铜/导电聚合物复合材料中，所述导电聚合物为：聚吡咯、聚噻吩、聚苯胺、聚苯硫醚中的至少一种，和/或所述纳米铜的粒径小于800nm。
7.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述保护层的材料为有机高分子聚合物绝缘材料或无机绝缘材料。
8.一种芯片封装结构的制作方法，其特征在于，包括：
提供载板与承载于所述载板的至少一组待封装件，每组所述待封装件包括：引线槽与裸片，所述引线槽包括底壁、若干侧壁以及所述底壁与各个所述侧壁围合成的容纳槽；所述引线槽的底壁固定于所述载板；所述裸片包括背电极与若干焊盘，所述背电极位于所述裸片的背面，所述焊盘位于所述裸片的正面；至少所述裸片的背电极位于所述容纳槽内，且通过导电胶与所述引线槽电连接；
在所述载板的表面形成包埋所述引线槽与所述裸片的塑封层；减薄所述塑封层，直至露出所述引线槽的至少一个侧壁的顶端；
在所述塑...
【专利技术属性】
技术研发人员：霍炎，涂旭峰，
申请(专利权)人：矽磐微电子重庆有限公司，
类型：发明
国别省市：重庆;50
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