【技术实现步骤摘要】
具有粘附促进剂的用于电子器件的无机包封剂
各种实施例总体上涉及一种封装体、一种制造封装体的方法和一种使用方法。
技术介绍
传统封装体可以包括安装在芯片载体、如引线框架上的电子器件,可以通过从芯片延伸到芯片载体的连接导线电连接,并且可以使用模制化合物作为包封剂来模制。
技术实现思路
可能需要以高可靠性包封诸如电子器件的装置。根据一个示例性实施例,提供了一种封装体,其包括电子器件、包封所述电子器件的至少一部分的无机包封剂以及位于所述电子器件的至少一部分与所述包封剂之间的粘附促进剂。根据另一个示例性实施例,提供了一种制造封装体的方法,其中,所述方法包括在电子器件的至少一部分上形成粘附促进剂,以及用无机包封剂至少部分地包封电子器件并使得粘附促进剂介于两者之间(即在电子器件的至少一部分与包封剂之间)。根据另一个示例性实施例,无机包封剂用于至少部分地包封装置而使粘附促进剂处于所述装置的至少一部分与包封剂之间。根据一个示例性实施例,当在电子器件与无机包封剂之间置入粘附促进剂时,将无机包封材料用于 ...
【技术保护点】
1.一种封装体(100),所述封装体(100)包括:/n·电子器件(104);/n·包封所述电子器件(104)的至少一部分的无机包封剂(106);以及/n·位于所述电子器件(104)的至少一部分与所述包封剂(106)之间的粘附促进剂(150)。/n
【技术特征摘要】
20190628 DE 102019117534.81.一种封装体(100),所述封装体(100)包括:
·电子器件(104);
·包封所述电子器件(104)的至少一部分的无机包封剂(106);以及
·位于所述电子器件(104)的至少一部分与所述包封剂(106)之间的粘附促进剂(150)。
2.根据权利要求1所述的封装体(100),其中,所述包封剂(106)是陶瓷基包封剂或无机聚合物基包封剂。
3.根据权利要求1或2所述的封装体(100),其中,所述包封剂(106)包括由水泥、混凝土、石膏、灰浆、硅聚合物和铝聚合物组成的组中的至少一种。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的封装体(100),其中,所述粘附促进剂(150)是形态粘附促进剂、特别是多孔粘附促进剂。
5.根据权利要求4所述的封装体(100),其中,所述形态粘附促进剂(150)包括由金属结构,合金结构,合金氧化物结构,铬结构,钒结构,钼结构,锌结构,锰结构,钴结构,镍结构,铜结构,火焰沉积结构,粗糙化的金属结构、特别是粗糙化的铜结构或粗糙化的铝氧化物结构,以及所述结构的任何合金、合金氧化物、氧化物、氮化物、碳化物和硒化物组成的组中的至少一种。
6.根据权利要求1至3中任一项所述的封装体(100),其中,所述粘附促进剂(150)是有机粘附促进剂。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的封装体(100),其中,所述粘附促进剂(150)具有多个开口(160)。
8.根据权利要求7所述的封装体(100),其中,所述开口(160)包括由孔、树枝状晶和图案化结构的岛之间的间隙组成的组中的至少一种。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的封装体(100),其中,所述粘附促进剂(150)的材料适于至少部分地补偿所述电子器件(104)的材料与所述包封剂(106)的材料的热膨胀系数之间的失配。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的封装体(100),其中,所述粘附促进剂(150)在所述包封剂(106)与所述电子器件(104)之间的界面区域中形成夹层(152)。
11.根据权利要求10所述的封装体(100),其中,所述封装体(100)包括以下特征中的至少一个:
·夹层(152)在包封剂(106)与电子器件(104)之间提供孔隙率的过渡,特别是连续过渡;
·夹层(152)的孔的至少一部分至少部分地填充有包封剂(106)的材料;
·夹层(152)具有在30nm至500nm之间的范围内...
【专利技术属性】
技术研发人员:E·里德尔,S·约尔丹,S·米特哈纳,S·施瓦布,
申请(专利权)人:英飞凌科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:德国;DE
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