半导体封装件制造技术

提供了一种半导体封装件。所述半导体封装件包括：布置在衬底上的第一半导体芯片和第二半导体芯片；阻挡层，其布置在第一半导体芯片和第二半导体芯片上，并且包括开口，第一半导体芯片的至少一部分通过所述开口暴露出来；以及热传递部分，其布置在阻挡层上，沿着阻挡层的上表面延伸并且填充所述开口。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装件相关技术的交叉引用本申请要求于2019年6月28日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2019-0077851的优先权，该申请的公开以引用方式全文并入本文中。
本专利技术构思涉及一种半导体封装件。
技术介绍
近来，随着对高性能的元件实现的需求，半导体芯片尺寸和伴随的半导体封装件尺寸增大。另一方面，半导体封装件的厚度反而随着电子装置的薄化趋势而减小。另一方面，已开发半导体封装件以满足多功能、大容量和小型化的要求。为此，通过将多个半导体芯片集成到一个半导体封装件中，已经能够执行高容量和多功能，同时大大减小半导体封装件的尺寸。因此，持续地讨论有效地耗散从半导体芯片产生的热的方法。
技术实现思路
本专利技术构思的各方面提供了一种有效地控制从半导体芯片产生的热的半导体封装件。本专利技术构思的各方面还提供了一种具有改进的产品可靠性的半导体封装件。根据本专利技术构思的一些实施例，一种半导体封装件包括：布置在衬底上的第一半导体芯片和第二半导体芯片；阻挡层，其布置在第一半导体芯片和本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体封装件，包括：/n布置在衬底上的第一半导体芯片和第二半导体芯片；/n阻挡层，其布置在所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片上，并且包括开口，所述第一半导体芯片的至少一部分通过所述开口暴露出来；以及/n热传递部分，其布置在所述阻挡层上，沿着所述阻挡层的上表面延伸并且填充所述开口。/n

【技术特征摘要】
20190628 KR 10-2019-00778511.一种半导体封装件，包括：
布置在衬底上的第一半导体芯片和第二半导体芯片；
阻挡层，其布置在所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片上，并且包括开口，所述第一半导体芯片的至少一部分通过所述开口暴露出来；以及
热传递部分，其布置在所述阻挡层上，沿着所述阻挡层的上表面延伸并且填充所述开口。


2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述热传递部分的厚度大于所述阻挡层的厚度。


3.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述热传递部分在所述第一半导体芯片上的厚度实质上等于所述热传递部分在所述阻挡层上的厚度。


4.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述热传递部分在所述第一半导体芯片上的厚度大于所述热传递部分在所述阻挡层上的厚度。


5.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述阻挡层包括光敏聚合物。


6.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述热传递部分包括粘合金属层和布置在所述粘合金属层的上表面上的热传递材料层，并且底切区形成在所述粘合金属层的端部。


7.根据权利要求6所述的半导体封装件，其中，所述热传递材料层包括铜。


8.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片通过所述衬底彼此电连接。


9.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第一半导体芯片是逻辑芯片，并且所述第二半导体芯片是存储器芯片。


10.一种半导体封装件，包括：
第一半导体芯片，其布置在衬底上；
第二半导体芯片，其布置在所述衬底上，并且与所述第一半导体芯片间隔开；以及
热传递部分，其布置在所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片上，与所述第一半导体芯片直接接触，并且不...

【专利技术属性】
技术研发人员：金东奎，朴正镐，金钟润，张延镐，张在权，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR