一种多芯粒集成的封装结构及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种多芯粒集成的封装结构，包括被塑封层塑封的若干芯粒，与被塑封的芯粒触点电连接的芯粒互联结构，设置于芯粒互联结构完成芯粒触点电连接的另一侧设置的布线引出结构以及设置于布线引出结构对应焊盘处的锡球，所述芯粒的触点包括需要进行相互间互联的第一触点以及用于直接引出的第二触点，在芯粒互联结构上形成芯粒间所需互联的第一触点间的连通槽以及能够将第二触点引出的引出槽，连通槽和引出槽内均填充金属种子。本发明专利技术还公开了此种封装结构的制备方法。采用本发明专利技术的设计方案，在封装结构上更加简便，且弥补了传统扇出型封装中RDL布线工艺精度不足、无法进行超精密互联的缺点。

【技术实现步骤摘要】
一种多芯粒集成的封装结构及其制备方法
本专利技术涉及半导体封装
，特别是一种多芯粒集成的封装结构及其制备方法。
技术介绍
随着芯片的前段制造技术不断发展，技术节点已经更新至7nm/5nm甚至更小，逐渐逼近物理极限，芯片的前段制造工艺变得极度复杂，其制造良率也逐渐降低并且制造成本大幅攀升。为了更进一步优化芯片的设计和前段制造流程，并有效控制整体成本，业界逐渐开始将原本的单芯片SoC模式转变为chiplet模式即“小芯粒”模式，它将原本的一个单芯片分解为多个“小芯粒”(chiplet)进行设计，根据每个芯粒的属性灵活选用合适的工艺节点来进行前段制造，然后再将这些制造好的“小芯粒”进行集成封装从而构建成一个类似于单芯片的功能模组。对于这种基于chiplet芯粒的方法，如何将多个不同种类的“小芯粒”集成封装在一起实现高速及高带宽互联、并且共同构成一个功能强大且体积功耗又比较小的系统，成为半导体芯片封装领域的一大挑战。目前针对高密度的多芯粒集成封装，业界常采用硅穿孔(TSV)、硅转接板(Siinterposer)等方式进行，把芯粒的超精细引本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种多芯粒集成的封装结构，其特征在于：包括被塑封层塑封的若干芯粒，与被塑封的芯粒触点电连接的芯粒互联结构，设置于芯粒互联结构完成芯粒触点电连接的另一侧设置的布线引出结构以及设置于布线引出结构对应焊盘处的锡球，所述芯粒的触点包括需要进行相互间互联的第一触点以及用于直接引出的第二触点，在芯粒互联结构上形成芯粒间所需互联的第一触点间的连通槽以及能够将第二触点引出的引出槽，连通槽和引出槽内均填充金属种子。/n

【技术特征摘要】
1.一种多芯粒集成的封装结构，其特征在于：包括被塑封层塑封的若干芯粒，与被塑封的芯粒触点电连接的芯粒互联结构，设置于芯粒互联结构完成芯粒触点电连接的另一侧设置的布线引出结构以及设置于布线引出结构对应焊盘处的锡球，所述芯粒的触点包括需要进行相互间互联的第一触点以及用于直接引出的第二触点，在芯粒互联结构上形成芯粒间所需互联的第一触点间的连通槽以及能够将第二触点引出的引出槽，连通槽和引出槽内均填充金属种子。


2.根据权利要求1所述的多芯粒集成的封装结构，其特征在于：所述芯粒互联结构包括至少两层介电层，第一介电层形成若干能够引出第一触点和第二触点的第一凹槽，第二介电层形成能够将芯粒间需要互联的第一触点进行连通的第二凹槽以及直接引出的第三凹槽，所需互联的第一触点对应的第一凹槽和第二凹槽构成连通槽，直接引出的第二触点对应的第一凹槽和第三凹槽构成引出槽。


3.根据权利要求1所述的多芯粒集成的封装结构，其特征在于：布线引出结构包括至少一层重新布线层，重新布线层包括第三介电层以及在第三介电层上形成的对应于引出槽内填充金属种子后形成金属触点的第四凹槽，并在第四凹槽内填充金属种子，形成在第三介电层的外表面的金属焊盘。


4.根据权利要求1所述的多芯粒集成的封装结构，其特征在于：所述第一触点的直径和间距均小于30μm，第二触点的直径和间距大于50μm。


5.根据权利要求2或3所述的多芯粒集成的封装结构，其特征在于：第一介电层和第二介电层均为光敏性的聚酰亚胺类的有机树脂，第三介电层为有机光敏性介电层。


6.一种如权利要求1所述的多芯粒集成的封装结构的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
1)准备一个临时载片，并在临时载片表面粘附临时键合胶层；
2)在临时键合胶层表面贴装芯粒，芯粒上有金属触点的器件面朝上放置；
3)然后对贴装好的芯粒进行塑封形成塑封层，并研磨塑封层的上表面使得芯粒的第一触点和第二触点裸露出来；
4)在塑封层上制作芯粒互联结构；
5)对于芯粒上除了需...

【专利技术属性】
技术研发人员：王新，蒋振雷，
申请(专利权)人：杭州晶通科技有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33