封装结构及其形成方法技术

提供封装结构及封装结构的形成方法。此方法包含在重布线结构上方放置半导体晶粒，并在重布线结构上方放置导电部件。导电部件具有支撑元件和焊料元件。焊料元件沿支撑元件的表面延伸。此方法也包含在重布线结构上方堆叠中介层基板。中介层基板延伸跨过半导体晶粒。此方法更包含形成保护层以围绕导电部件和半导体晶粒。

【技术实现步骤摘要】
封装结构及其形成方法
本专利技术实施例涉及封装技术，且特别是涉及封装结构及其形成方法。
技术介绍
半导体集成电路(integratedcircuit，IC)工业已经历了快速成长。半导体制造过程的持续进步使得半导体装置有着更好的功能及更高的集成度。功能密度(即每一晶片区互连的装置数目)增加，同时部件尺寸(即制造过程中所产生的最小的组件)缩小。此元件尺寸微缩化的制程一般来说具有增加生产效率与降低相关费用的益处。晶片封装不仅保护半导体装置免受环境污染，且也为封装于其中的半导体装置提供连接界面。目前已经开发出使用较小面积或较低高度的较小封装结构来封装半导体装置。目前已经开发出新的封装技术以进一步改善半导体晶粒的密度和功能。这些相对新型的半导体晶粒的封装技术面临制造上的挑战。
技术实现思路
在一些实施例中，提供封装结构的形成方法，此方法包含在重布线结构上方放置半导体晶粒；在重布线结构上方放置导电部件，其中导电部件包含支撑元件和焊料元件，且焊料元件沿支撑元件的表面延伸；在重布线结构上方堆叠中介层基板，其中中介层基板延伸跨过半导体本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种封装结构的形成方法，包括:/n在一重布线结构上方放置一半导体晶粒；/n在该重布线结构上方放置一导电部件，其中该导电部件包括一支撑元件和一焊料元件，且该焊料元件沿该支撑元件的表面延伸；/n在该重布线结构上方堆叠一中介层基板，其中该中介层基板延伸跨过该半导体晶粒；以及/n形成一保护层以围绕该导电部件和该半导体晶粒。/n

【技术特征摘要】
20190626 US 16/452,8301.一种封装结构的形成方法，包括:
在一重布线结构上方放置一半导体晶粒；
在该重布线结构上方放置一导电部件，其中该导电部件包括一支撑元件和一焊料元件，且该焊料元件沿该支撑元件的表面延伸；
在该重布线结构上方堆叠一中介层基板，其中该中介层基板延伸跨过该半导体晶粒；以及
形成一保护层以围绕该导电部件和该半导体晶粒。


2.如权利要求1所述的封装结构的形成方法，更包括:
在放置该半导体晶粒之前，在该重布线结构上方放置多个导电凸块；以及
将该半导体晶粒接合至该多个导电凸块。


3.如权利要求2所述的封装结构的形成方法，其中该多个导电凸块的每一个包括一第二支撑元件和一第二焊料元件，且该第二焊料元件覆盖整个该第二支撑元件。


4.一种封装结构的形成方法，包括:
在一重布线结构上方放置一半导体晶粒；
在一中介层基板上方放置一导电部件，其中该导电部件包括一支撑元件和一焊料元件，且该焊料元件沿该支撑元件的表面延伸；
在该重布线结构上方堆叠该中介层基板，使得该导电部件电性连接至该重布线结构的一导电元件；以及
形成一保护层以围绕该导电部件和该半导体晶粒。

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【专利技术属性】
技术研发人员：蔡柏豪，翁得期，吴逸文，庄博尧，郑心圃，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71