芯片封装结构的制作方法技术

本发明专利技术提供了一种芯片封装结构的制作方法，通过将多晶粒封装结构划分为若干区域，每一区域包含若干晶粒；在晶粒封装结构上形成包埋外引脚的第二塑封层时，使用具有分隔板的多腔模具对第二塑封层进行固化。多腔模具可以将第二塑封层固化收缩的范围由一整块减少到若干小块，从而液态塑封料固化时收缩应力由于收缩范围减小而成倍减小，多晶粒封装结构的翘曲程度得以减小，进而可以改善外引脚的电连接可靠性问题。

【技术实现步骤摘要】
芯片封装结构的制作方法
本专利技术涉及芯片封装
，尤其涉及一种芯片封装结构的制作方法。
技术介绍
近年来，随着电路集成技术的不断发展，电子产品越来越向小型化、智能化、高性能以及高可靠性方向发展。封装技术不但影响产品的性能，而且还制约产品的小型化。然而，现有芯片封装生产效率较低、封装结构性能不可靠。有鉴于此，本专利技术提供一种新的芯片封装结构的制作方法，以解决上述技术问题。
技术实现思路
本专利技术的专利技术目的是提供一种芯片封装结构的制作方法，提升生产效率、提高封装结构性能可靠性。为实现上述目的，本专利技术提供一种芯片封装结构的制作方法，包括：提供多晶粒封装结构，所述多晶粒封装结构包括第一塑封层以及包埋在所述第一塑封层内的多个晶粒，每一所述晶粒包括正面与背面，所述正面具有电互连结构；所述正面暴露于所述第一塑封层外；在所述多晶粒封装结构中每一晶粒的正面形成外引脚；将所述多晶粒封装结构划分为若干区域，每一区域包含若干晶粒；在所述多晶粒封装结构上形成包埋所述外引脚的第二塑封层，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种芯片封装结构的制作方法，其特征在于，包括：/n提供多晶粒封装结构，所述多晶粒封装结构包括第一塑封层以及包埋在所述第一塑封层内的多个晶粒，每一所述晶粒包括正面与背面，所述正面具有电互连结构；所述正面暴露于所述第一塑封层外；/n在所述多晶粒封装结构中每一晶粒的正面形成外引脚；/n将所述多晶粒封装结构划分为若干区域，每一区域包含若干晶粒；在所述多晶粒封装结构上形成包埋所述外引脚的第二塑封层，所述第二塑封层使用具有分隔板的多腔模具固化，所述分隔板位于相邻区域之间，用于隔断开第二塑封层；/n研磨所述第二塑封层直至暴露出所述外引脚，形成多芯片封装结构；/n切割所述多芯片封装结构形成多个芯片封装结构...

【技术特征摘要】
1.一种芯片封装结构的制作方法，其特征在于，包括：
提供多晶粒封装结构，所述多晶粒封装结构包括第一塑封层以及包埋在所述第一塑封层内的多个晶粒，每一所述晶粒包括正面与背面，所述正面具有电互连结构；所述正面暴露于所述第一塑封层外；
在所述多晶粒封装结构中每一晶粒的正面形成外引脚；
将所述多晶粒封装结构划分为若干区域，每一区域包含若干晶粒；在所述多晶粒封装结构上形成包埋所述外引脚的第二塑封层，所述第二塑封层使用具有分隔板的多腔模具固化，所述分隔板位于相邻区域之间，用于隔断开第二塑封层；
研磨所述第二塑封层直至暴露出所述外引脚，形成多芯片封装结构；
切割所述多芯片封装结构形成多个芯片封装结构。


2.根据权利要求1所述的芯片封装结构的制作方法，其特征在于，所述第二塑封层通过热压贴装的塑封膜形成，贴装的塑封膜在相邻区域之间具有间隔，所述间隔用于容纳所述分隔板。


3.根据权利要求1所述的芯片封装结构的制作方法，其特征在于，所述第二塑封层通过注塑工艺形成。


4.根据权利要求1所述的芯片封装结构的制作方法，其特征在于，每一区域的面积相等。


5.根据权利要求4所述的芯片封装结构的制作方法，其特征在于，每一区域内的晶粒数目相等。


6.根据权利要求1所述的芯片封装结构的制作方法，其特征在于，在所述多晶粒封装结构中每一晶粒的正面形成再布线层，所述外引脚形成在所述再布线层上；或在所述多晶粒封装结构中每一晶粒的正面依次形成再布线层以及扇出线路，所述外引脚形成在所述扇出线路上。


7.根据权利要求1所述的芯片封装结构的制作方法，其特征在于，形成再布线层包括：
在所暴露的每一晶粒的正面以及第一塑封层上形成光刻胶层；
曝光显影所述光刻胶层，去除第一预定区域的光刻胶层，所述第一预定区域对应所述晶粒正面的焊盘，所述焊盘与所述电互连结构电连接；
在所述第一预定区域填充金属层以形成所述再布线层；
灰化去除剩余的光刻胶层。


8.根据权利要求7所述的芯片封装结构的制作方法，其特征在于，在所述再布线层上形成扇出线路包括：
在所述第一塑封层以及再布线层上形成第三塑封层；
去除所述第三塑封层的部分区域形成通孔，...

【专利技术属性】
技术研发人员：周辉星，
申请(专利权)人：矽磐微电子重庆有限公司，
类型：发明
国别省市：重庆;50