具有盖以选择性地阻挡与模塑料的接触的半导体器件封装制造技术

技术编号:26772423 阅读:36 留言:0更新日期:2020-12-18 23:55
所描述的实例包含:具有作用面的裸片(206);安装在所述裸片(206)的所述作用面的一部分上的盖(220);以及覆盖所述盖(220)并覆盖所述裸片(206)的多个部分的模塑料(212)。所述盖(220)阻挡所述模塑料(212)与所述裸片(206)的所述作用面的所述部分的接触。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有盖以选择性地阻挡与模塑料的接触的半导体器件封装
本文总体上涉及半导体器件封装,并且更特别地涉及具有模塑料的半导体器件封装。
技术介绍
诸如单个集成电路(IC)裸片之类的半导体器件通过将单个IC裸片附接到衬底上,然后将单个IC裸片和衬底的多个部分包封在模塑料中来进行封装。当组件与模塑料接触时,某些组件在半导体器件上的性能会下降。例如,由于模塑料引起的应力可能会改变半导体器件上某些组件的电气特性,从而可能使半导体器件失效。模塑料在室温下可以为液体或在室温下可以为固体。如果在室温下为固体,则可以在模制之前将模塑料加热到熔融状态。将模塑料注入含有衬底和半导体器件裸片的模具中。在模塑料冷却后,从裸片中移除封装的半导体器件。在固化和冷却期间,模塑料收缩,并且随着模塑料的收缩,它会向半导体器件施加压缩应力。半导体器件可能含有具有由于压缩应力而劣化的电特性的组件。半导体器件上由于模塑料应力而导致电性能变化的组件实例包括:双极结型晶体管(BJT);模拟晶体管;传感器;和体声波(BAW)器件。半导体封装中使用的模塑料可以充分改变电性能,本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种装置,包括:/n裸片,其具有作用面;/n盖,其安装在所述裸片的所述作用面的一部分上;以及/n模塑料,其覆盖所述盖并覆盖所述裸片的多个部分,所述盖阻挡所述模塑料与所述裸片的所述作用面的所述部分的接触。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180515 US 15/980,4531.一种装置,包括:
裸片,其具有作用面;
盖,其安装在所述裸片的所述作用面的一部分上;以及
模塑料,其覆盖所述盖并覆盖所述裸片的多个部分,所述盖阻挡所述模塑料与所述裸片的所述作用面的所述部分的接触。


2.根据权利要求1所述的装置,进一步包括:气穴,所述气穴位于所述盖与所述裸片的所述作用面的所述部分之间。


3.根据权利要求1所述的装置,其中所述裸片的所述作用面的所述部分包含选自基本上由以下各项组成的组中的一种的组件:体声波BAW器件;双极结型晶体管;传感器,和模拟晶体管。


4.根据权利要求1所述的装置,其中所述盖是玻璃LED透镜。


5.根据权利要求1所述的装置,其中所述盖是选自基本上由以下各项组成的组中的一种:玻璃;塑料;和金属。


6.根据权利要求1所述的装置,其中所述盖的基部通过粘合剂接合至所述裸片的表面,所述盖覆盖在所述裸片的所述作用面的所述部分中形成的组件。


7.根据权利要求6所述的装置,其中所述粘合剂是选自基本上由以下各项组成的组中的一种:环氧树脂和丙烯酸酯化聚氨酯。


8.根据权利要求1所述的装置,进一步包括:衬底,其具有裸片安装焊盘,所述裸片安装到所述裸片安装焊盘;以及电连接部,其将所述衬底上的引线耦合到所述裸片上的接合焊盘。


9.根据权利要求8所述的装置,其中所述衬底是包含所述裸片安装焊盘和所述引线的引线框架,并且所述引线框架和所述引线的部分被所述模塑料覆盖。


10.根据权利要求9所述的装置,其中所述装置是选自基本上由以下各项组成的组中的一种:无引线封装、单列直插式引脚封装、双列直插式封装、方形扁平无引线封装、小外形无引线封装以及系统级封装。


11.根据权利要求1所述的装置,其中所述裸片是分立式半导体器件。


12.根据权利要求1所述的装置,其中所述裸片是集成电路。


13.根据权利要求1所述的装置,其中所述裸片是第一集成电路裸片,并且所述作用面的所述部分进一步包括第二集成电路裸片,所述第二集成电路裸片安装到所述第一集成电路裸片的所述作用面的所述部分。


14.一种方法,包括:
将盖定位在裸片的作用面的选定部分上;
将所述盖的基部接合至所述裸片的所述作用面上,所述盖围绕所述作用面的所述选定部分;以及
将所述裸片的所述作用面和所述盖覆盖在模塑料中。


15.根据权利要求14所述的方法,进一步包括:在所述盖与所述裸片的所述作用面的所述选定部分之间形成气穴。


16.根据权利要求14所述的方法,其中在将所述裸片的所述作用面和所述盖覆盖在所述模塑料中的步骤期间,所述盖阻挡所述模塑料与所述裸片的所述作用面的所述选定部分的接触。


17.根据权利要求14所述的方法,其中所述裸片的所述作用面的所述选定部分包含选自基本上由以下...

【专利技术属性】
技术研发人员:L·M·A·D·P·克莱芒特J·G·卡亚比亚巴
申请(专利权)人:德州仪器公司
类型:发明
国别省市:美国;US

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