半导体装置和电子设备制造方法及图纸

本发明专利技术提供了半导体装置和电子设备，以提高彼此面对的第一电极部和第二电极部之间的结合性。根据本发明专利技术的半导体装置包括：第一配线部；第一层间绝缘膜，其覆盖所述第一配线部的一个表面侧；第一电极部，其设置在在所述第一层间绝缘膜中设置的第一通孔内，所述第一电极部被电连接至所述第一配线部；第二配线部；第二层间绝缘膜，其覆盖所述第二配线部的面向所述第一配线部的一个表面侧；和第二电极部，其设置在在所述第二层间绝缘膜中设置的第二通孔内，所述第二电极部被电连接至所述第二配线部。所述第一电极部和所述第二电极部彼此直接接合。所述第一电极部的热膨胀系数高于所述第一配线部的热膨胀系数。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置和电子设备
本专利技术涉及半导体装置和电子设备。
技术介绍
设置在基板的层叠表面上的电极与基板的层叠表面彼此直接接合并层叠的方法是公知的。例如，专利文献1公开了包含Cu(铜)的伪电极被设置在第一配线层和第二配线层的接合表面上并且所述伪电极彼此接合。引用列表专利文献专利文献1：日本专利特开第2012-256736号公报
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题在接合前对基板的接合面进行化学机械抛光(CMP)，并且因此被平坦化。CMP处理可能引起在包括电极的区域(以下称为电极区)中的诸如凹口(recesses)、碟形凹陷(dishing)或侵蚀(erosion)等凹陷(depression)。电极区中的凹陷使电极表面沿基板的深度方向向后移动，阻碍了电极彼此充分接触。电极之间的接触的阻碍可能会降低电极之间的接合性。鉴于这种情况，本专利技术的目的是提供能够改善彼此面对的第一电极部和第二电极部之间的接合性的半导体装置和电子设备。技术问题的解决方案本技术的方面是半导体装置本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，包括：/n第一配线部；/n第一层间绝缘膜，所述第一层间绝缘膜覆盖所述第一配线部的一个表面侧；/n第一电极部，所述第一电极部设置在在所述第一层间绝缘膜中设置的第一通孔内，所述第一电极部电连接至所述第一配线部；/n第二配线部；/n第二层间绝缘膜，所述第二层间绝缘膜覆盖所述第二配线部的面向所述第一配线部的表面侧；和/n第二电极部，所述第二电极部设置在在所述第二层间绝缘膜中设置的第二通孔内，所述第二电极部电连接至所述第二配线部；其中，/n所述第一电极部和所述第二电极部彼此直接接合，并且，/n所述第一电极部的热膨胀系数大于所述第一配线部的热膨胀系数。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20181204 JP 2018-2273491.一种半导体装置，包括：
第一配线部；
第一层间绝缘膜，所述第一层间绝缘膜覆盖所述第一配线部的一个表面侧；
第一电极部，所述第一电极部设置在在所述第一层间绝缘膜中设置的第一通孔内，所述第一电极部电连接至所述第一配线部；
第二配线部；
第二层间绝缘膜，所述第二层间绝缘膜覆盖所述第二配线部的面向所述第一配线部的表面侧；和
第二电极部，所述第二电极部设置在在所述第二层间绝缘膜中设置的第二通孔内，所述第二电极部电连接至所述第二配线部；其中，
所述第一电极部和所述第二电极部彼此直接接合，并且，
所述第一电极部的热膨胀系数大于所述第一配线部的热膨胀系数。


2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
所述第一配线部包含第一金属，并且，
所述第一电极部包含含有所述第一金属和第二金属的合金。


3.根据权利要求2所述的半导体装置，进一步包括：
第一种子层，所述第一种子层设置在所述第一通孔内并且与所述第一电极部接触，其中，
所述第一种子层包含所述第二金属。


4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
所述第二电极部的热膨胀系数大于所述第二配线部的热膨胀系数。


5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，
所述第二配线部包含第三金属，并且，
所述第二电极部包含含有所述第三金属和第四金属的合金。


6.根据权利要求5所述的半导体装置，进一步包括：
第二种子层，所述第二种子层设置在所述第二通孔内并且与所述第二电极部接触，其中，
所述第二种子层包含所述第四金属。


7.根据权利要求1所述的半导体装置，进一步包括：
第一阻挡层，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：桥口日出登，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP