半导体装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及半导体装置。在半导体基板上形成介电膜，在半导体基板与介电膜之间配置有包括折弯部的布线。在介电膜上形成有焊盘。保护膜覆盖焊盘。在保护膜设置有使焊盘的上表面露出的开口。布线的折弯部和焊盘在俯视时重叠，折弯部的内侧的角以及外侧的角被倒角。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置
本技术涉及半导体装置。
技术介绍
为了减小芯片尺寸，而采用在接合焊盘的正下面配置有布线等的焊盘在元件上(POE)构造。在接合焊盘上形成保护膜，并在该保护膜设置使接合焊盘的上表面露出的开口。水分容易通过该开口浸入到半导体装置的内部。若从开口浸入的水分到达到接合焊盘的正下面的布线等，则布线等的腐蚀加剧，半导体装置的耐湿性降低。并且，在POE构造中，由于引线接合时的冲击载荷的影响，焊盘的正下面的布线或绝缘膜容易受到损伤。具有在引线接合时，接合焊盘正下面的绝缘膜不容易产生裂缝的构造的半导体装置是公知的(专利文献1、2)。在专利文献1所公开的半导体装置中配置有嵌入由Al等构成的布线的由SiO2等构成的第一层间绝缘膜以及第二层间绝缘膜。在第一层间绝缘膜嵌入多个第一布线，在第二层间绝缘膜嵌入多个第二布线。第一布线的各个在焊盘的下侧形成为直线状，不具有弯曲以及分支。根据该结构，能够将由第一布线产生的应力抑制得较小，并抑制在焊盘的下侧的层间绝缘膜等产生裂缝。在专利文献2所公开的半导体装置中，在配置于半导体基板与突起电极之间的A本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，具有：/n半导体基板；/n介电膜，形成在上述半导体基板上；/n布线，被配置在上述半导体基板与上述介电膜之间，并包括折弯部；/n焊盘，形成在上述介电膜上；以及/n保护膜，覆盖上述焊盘，并设置有使上述焊盘的上表面露出的开口，/n上述布线的上述折弯部和上述焊盘在俯视时重叠，上述折弯部的内侧的角以及外侧的角的至少一方被倒角。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170724 JP 2017-1429721.一种半导体装置，其特征在于，具有：
半导体基板；
介电膜，形成在上述半导体基板上；
布线，被配置在上述半导体基板与上述介电膜之间，并包括折弯部；
焊盘，形成在上述介电膜上；以及
保护膜，覆盖上述焊盘，并设置有使上述焊盘的上表面露出的开口，
上述布线的上述折弯部和上述焊盘在俯视时重叠，上述折弯部的内侧的角以及外侧的角的至少一方被倒角。


2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
上述折弯部的内侧的角被倒角。


3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，
上述折弯部的外侧的角也被倒角。


4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，
使与上述折弯部连续的上述布线的一个直线部分延长而成的区域和使另一个直线部分延长而成的区域重叠的区域包括通过对上述折弯部的外侧的角进行倒角而去掉的区域。


5.根据权利要求3或者4所述的半导体装置，其中，
上述布线在上述折弯部被折弯成直角，通过对上述折弯部的外侧的角进行倒角而去掉的区域的平面形状、和对内侧的角进行倒角而附加的区域的平面形状是等腰直角三角形。


6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，
通过对上述折弯部的外侧的角进行倒角而去掉的等腰直角三角形的区域、和对内侧的角进行倒角而附加的等腰直角三角形的区域的大小相等。


7.根据权利要求3或者4所述的半导体装置，其中，
对上述折弯部的内侧的角以及外侧的角的至少一方进行R面倒角。


8.根据权利要求3或者4所述的半导体装置，其中，
对上述折弯部的内侧的角以及外侧的角的至少一方进行包括一个以上的角部的多棱柱面倒角。


9.根据权利要求1～4、6中的任意一项所述的半导体装置，其中，
上述半导体装置还包括配置在上述焊盘上的凸点，或者与上述焊盘接合的引线，
上述布线的材料包括金。


10.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，
上述半导体装置还包括配置在上述焊盘上的凸点，或者与上述焊盘接合的引线，
上述布线的材料包括金。


11.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，
上述半导体装置还包括配置在上述焊盘上的凸点，或者与上述焊盘接合的引线，
上述布线的材料包括金。


12.根据权利要求8所述的半...

【专利技术属性】
技术研发人员：黑川敦，德矢浩章，小林一也，佐野雄一，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：新型
国别省市：日本;JP