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文档序号:26772422

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本发明提供了半导体装置和电子设备,以提高彼此面对的第一电极部和第二电极部之间的结合性。根据本发明的半导体装置包括:第一配线部;第一层间绝缘膜,其覆盖所述第一配线部的一个表面侧;第一电极部,其设置在在所述第一层间绝缘膜中设置的第一通孔内,所述...
该专利属于索尼半导体解决方案公司所有,仅供学习研究参考,未经过索尼半导体解决方案公司授权不得商用。

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