电磁屏蔽模组结构和电磁屏蔽模组结构的制备方法技术

本发明专利技术的实施例提供了一种电磁屏蔽模组结构和电磁屏蔽模组结构的制备方法，涉及芯片封装技术领域，该电磁屏蔽模组结构以及制备方法，将多个屏蔽器件贴装在第一芯片和第二芯片之间，塑封体包覆在第一芯片和第二芯片外，金属屏蔽层罩设在塑封体外，且每个屏蔽器件的金属柱分别与金属屏蔽层和模组基板电连接，从而实现电磁屏蔽，通过将屏蔽器件直接贴装在模组基板上，避免了挖槽、填充等复杂工艺，简化了工艺步骤，降低了封装难度，同时通过金属柱和金属屏蔽层实现电磁屏蔽，屏蔽效果好。

【技术实现步骤摘要】
电磁屏蔽模组结构和电磁屏蔽模组结构的制备方法
本专利技术涉及芯片封装
，具体而言，涉及一种电磁屏蔽模组结构和电磁屏蔽模组结构的制备方法。
技术介绍
随着半导体行业的快速发展，SIP模组（系统级封装模组）结构广泛应用于半导体行业中。它将不同功能芯片封装后，进行堆叠，主要优势为高密度集成，封装产品尺寸小，产品性能优越，信号传输频率快等，随着电子产品运用于通信领域高频信号，故需求产品具备分区电磁屏蔽结构，防止各种芯片和元器件互相产生的电磁干扰现象发生。现有的EMI屏蔽技术（电磁屏蔽技术）通常是直接在高频芯片周围形成金属屏蔽层实现屏蔽，屏蔽效果差；或者在塑封体上激光开槽后填充导电材料，需要通过挖槽以及填充等方式在器件之间形成分段式屏蔽结构，工艺复杂且质量难以把控，并且容易导致屏蔽效果差。
技术实现思路
本专利技术的目的包括，例如，提供了一种电磁屏蔽模组结构和电磁屏蔽模组结构的制备方法，其能够实现电磁屏蔽，并且通过将屏蔽器件直接贴装在模组基板上，避免了挖槽、填充等复杂工艺，同时屏蔽效果好。本专利技术的实施例可以这样实现：第一方面，本专利技术实施例提供一种电磁屏蔽模组结构，包括：模组基板；贴装在所述模组基板上的第一芯片和第二芯片；多个贴装在所述模组基板上的屏蔽器件，且至少部分所述屏蔽器件设置在所述第一芯片和所述第二芯片之间；设置在所述模组基板上，并包覆在所述第一芯片和所述第二芯片外的保护塑封体；以及，罩设在所述保护塑封体外的金属屏蔽层；r>其中，所述屏蔽器件包括多个金属柱，每个所述金属柱分别与所述金属屏蔽层和所述模组基板电性连接。在可选的实施方式中，所述屏蔽器件还包括屏蔽基板和屏蔽塑封体，所述屏蔽基板的正面设置有接线管脚，所述屏蔽基板的背面设置有连接管脚，所述连接管脚和所述接线管脚对应并电性连接，多个所述金属柱中至少一个与所述接线管脚对应连接，所述屏蔽塑封体设置在所述屏蔽基板上，并包覆在多个所述金属柱外。在可选的实施方式中，所述屏蔽塑封体中嵌设有导电颗粒。在可选的实施方式中，所述导电颗粒包括铜颗粒、锡颗粒、铋颗粒、银颗粒、石墨烯颗粒中的至少一种。在可选的实施方式中，所述屏蔽塑封体由环氧基树脂或硅基树脂制成。在可选的实施方式中，至少一个所述金属柱向上延伸至所述屏蔽塑封体的表面并外露。在可选的实施方式中，所述屏蔽基板贴装在所述模组基板上，以使所述连接管脚与所述模组基板电接触，所述金属屏蔽层覆盖所述屏蔽塑封体的表面，以使所述金属柱与所述金属屏蔽层电接触。在可选的实施方式中，所述屏蔽塑封体贴装在所述模组基板上，以使所述金属柱与所述模组基板电接触，所述金属屏蔽层覆盖在所述屏蔽基板上，以使所述连接管脚与所述金属屏蔽层电接触。在可选的实施方式中，所述保护塑封体内嵌设有导热颗粒。在可选的实施方式中，所述导热颗粒包括氧化铝颗粒、氧化铜颗粒、氧化铁颗粒中至少一种。在可选的实施方式中，所述保护塑封体由环氧基树脂或硅基树脂制成。在可选的实施方式中，多个所述屏蔽器件围设在所述第一芯片周围，或者呈连线排布在所述第一芯片和所述第二芯片之间。第二方面，本专利技术实施例提供一种电磁屏蔽模组结构的制备方法，用于制备如前述实施方式任一项所述的电磁屏蔽模组结构，包括：在模组基板上贴装第一芯片和第二芯片；在模组基板上贴装多个所述屏蔽器件，且至少部分所述屏蔽器件设置在所述第一芯片和所述第二芯片之间；在模组基板上塑封形成保护塑封体，所述保护塑封体包覆在所述第一芯片和所述第二芯片外；在所述保护塑封体外溅射形成金属屏蔽层；其中，所述屏蔽器件包括多个金属柱，每个所述金属柱分别与所述金属屏蔽层和所述模组基板电性连接。在可选的实施方式中，在模组基板上贴装第一芯片和第二芯片的步骤之前，还包括：在屏蔽基板上打线形成多个所述金属柱；在所述屏蔽基板上塑封形成屏蔽塑封体，所述屏蔽塑封体包覆在多个所述金属柱外；其中，所述屏蔽基板的正面设置有接线管脚，所述屏蔽基板的背面设置有连接管脚，所述连接管脚和所述接线管脚对应并电性连接，多个所述金属柱中至少一个与所述接线管脚对应连接。本专利技术实施例的有益效果包括，例如：本专利技术提供了一种电磁屏蔽模组结构以及制备方法，将多个屏蔽器件贴装在第一芯片和第二芯片之间，塑封体包覆在第一芯片和第二芯片外，金属屏蔽层罩设在塑封体外，且每个屏蔽器件的金属柱分别与金属屏蔽层和模组基板电连接，从而实现电磁屏蔽，通过将屏蔽器件直接贴装在模组基板上，避免了挖槽、填充等复杂工艺，简化了工艺步骤，降低了封装难度，同时通过金属柱和金属屏蔽层实现电磁屏蔽，屏蔽效果好。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本专利技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。图1为本专利技术第一实施例提供的电磁屏蔽模组结构在屏蔽器件反装状态下的示意图；图2为本专利技术第一实施例提供的电磁屏蔽模组结构在屏蔽器件正装状态下的示意图；图3为图1中屏蔽器件的结构示意图；图4为本专利技术第一实施例提供的电磁屏蔽模组结构在第一视角下的封装结构示意图；图5为本专利技术第一实施例提供的电磁屏蔽模组结构在第二视角下的封装结构示意图；图6本专利技术第一实施例提供的电磁屏蔽模组结构在第三视角下的封装结构示意图；图7为本专利技术第二实施例提供的电磁屏蔽模组结构的制备方法的步骤框图；图8至图12为本专利技术第二实施例提供的电磁屏蔽模组结构的制备方法的工艺流程图；图13至图16为本专利技术第二实施例提供的屏蔽器件的制备方法的工艺流程图。图标：100-电磁屏蔽模组结构；110-模组基板；111-接地管脚；130-第一芯片；150-第二芯片；170-屏蔽器件；171-屏蔽基板；171a-接线管脚；171b-连接管脚；173-屏蔽塑封体；175-金属柱；180-保护塑封体；190-金属屏蔽层。具体实施方式为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本专利技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本专利技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本专利技术的范围，而是仅仅表示本专利技术的选定实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。在本发本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电磁屏蔽模组结构，其特征在于，包括：/n模组基板；/n贴装在所述模组基板上的第一芯片和第二芯片；/n多个贴装在所述模组基板上的屏蔽器件，且至少部分所述屏蔽器件设置在所述第一芯片和所述第二芯片之间；/n设置在所述模组基板上，并包覆在所述第一芯片和所述第二芯片外的保护塑封体；/n以及，罩设在所述保护塑封体外的金属屏蔽层；/n其中，所述屏蔽器件包括多个金属柱，每个所述金属柱分别与所述金属屏蔽层和所述模组基板电性连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种电磁屏蔽模组结构，其特征在于，包括：
模组基板；
贴装在所述模组基板上的第一芯片和第二芯片；
多个贴装在所述模组基板上的屏蔽器件，且至少部分所述屏蔽器件设置在所述第一芯片和所述第二芯片之间；
设置在所述模组基板上，并包覆在所述第一芯片和所述第二芯片外的保护塑封体；
以及，罩设在所述保护塑封体外的金属屏蔽层；
其中，所述屏蔽器件包括多个金属柱，每个所述金属柱分别与所述金属屏蔽层和所述模组基板电性连接。


2.根据权利要求1所述的电磁屏蔽模组结构，其特征在于，所述屏蔽器件还包括屏蔽基板和屏蔽塑封体，所述屏蔽基板的正面设置有接线管脚，所述屏蔽基板的背面设置有连接管脚，所述连接管脚和所述接线管脚对应并电性连接，多个所述金属柱中至少一个与所述接线管脚对应连接，所述屏蔽塑封体设置在所述屏蔽基板上，并包覆在多个所述金属柱外。


3.根据权利要求2所述的电磁屏蔽模组结构，其特征在于，所述屏蔽塑封体中嵌设有导电颗粒。


4.根据权利要求3所述的电磁屏蔽模组结构，其特征在于，所述导电颗粒包括铜颗粒、锡颗粒、铋颗粒、银颗粒、石墨烯颗粒中的至少一种。


5.根据权利要求3所述的电磁屏蔽模组结构，其特征在于，所述屏蔽塑封体由环氧基树脂或硅基树脂制成。


6.根据权利要求2所述的电磁屏蔽模组结构，其特征在于，至少一个所述金属柱向上延伸至所述屏蔽塑封体的表面并外露。


7.根据权利要求2所述的电磁屏蔽模组结构，其特征在于，所述屏蔽基板贴装在所述模组基板上，以使所述连接管脚与所述模组基板电接触，所述金属屏蔽层覆盖所述屏蔽塑封体的表面，以使所述金属柱与所述金属屏蔽层电接触。


8.根据权利要求2所述的电磁屏蔽模组结构，其特征在于，所述屏蔽塑封体贴装在所述模组基板上，以使所述金属柱与所...

【专利技术属性】
技术研发人员：孔德荣，钟磊，李利，
申请(专利权)人：甬矽电子宁波股份有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33