一种智能标签模块芯片中空封装工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种智能标签模块芯片中空封装工艺，包括以下步骤：S1，在载带的正面焊接芯片以及与芯片相连接的两根金丝；S2，采用中空封装形式将载带上的芯片以及与芯片相连的两根金丝封装起来，且UV胶不触及到金丝和芯片。本发明专利技术的智能标签模块芯片中空封装工艺，由于避免了采用UV胶在封装区域内将金丝、芯片以及压焊点全部用UV有机材料包封，使标签模块产品，不仅可以使用在较高的温度，且可以使用在温度波动幅度大、温度变换频繁的比较严酷的环境下,也可以在一定的抗潮湿或腐蚀气体环境下正常工作。

【技术实现步骤摘要】
一种智能标签模块芯片中空封装工艺
本专利技术涉及一种智能标签模块芯片中空封装工艺，属于微电子封装领域。
技术介绍
请参阅图1和图2，常规的智能卡模块，或者智能标签模块的封装，到目前为止，基本上都是采用UV封装，由于载带10'的正面(功能面)首先要装焊射频RF芯片11'，而且RF芯片11'要与标签模块载带上的射频天线的两端焊点，需要焊接两根金丝12'。这两根金丝12'需要与芯片上的两个焊点和天线焊接端进行互连后，还需要用紫外固化环氧胶将标签模块的芯片和两根金丝进行封装——简称UV封装，具体地，将UV固化环氧树脂(以下简称UV胶)20'将芯片11'以及与芯片互连的金丝12'用UV固化环氧完全包封住(见图1)。有些大芯片的智能卡模块，为了有效地控制封装面积，采用UV筑坝21'加UV胶20'填料封装技术，将金丝12'和芯片11'完全包封，(见图2)。对于智能卡模块或者标签模块，其耐高温等级主要还是取决于所用的带基材料以及相应的封装材料本身的耐温性能。带基材料采用智能卡或智能标签常用的G10基材S35玻璃纤维布载带，以及耐高温的聚酰亚胺PI敷铜S35带基。并且带基上已经制作成相应的射频天线，作为耐高温智能标签的应用，通常我们定位可以长期在24小时100摄氏度或略高于100摄氏度的温度下工作，现有技术中的UV封装技术，由于采用UV胶在封装区域内将金丝、芯片以及压焊点全部用UV有机材料包封，这就使得智能卡模块或者标签模块，在较高的温度，或者在温度高低频繁变换的工作环境下，由于UV胶20'本身的有机材料的线性膨胀系数高，导致金丝或压焊点开路而失效。
技术实现思路
本专利技术的目的是克服现有技术的缺陷，提供一种智能标签模块芯片中空封装工艺，使标签模块产品，不仅可以使用在较高的温度，且可以使用在温度波动幅度大、温度变换频繁的比较严酷的环境下,也可以在一定的抗潮湿或腐蚀气体环境下正常工作。实现上述目的的技术方案是：一种智能标签模块芯片中空封装工艺，包括以下步骤：S1，在载带的正面焊接芯片以及与芯片相连接的两根金丝；S2，采用中空封装形式将载带上的芯片以及与芯片相连的两根金丝封装起来，且UV胶不触及到金丝和芯片。上述的一种智能标签模块芯片中空封装工艺，步骤S2中，所述中空封装形式采用UV胶筑坝中空封装形式，具体包括以下工序：S21，在芯片以及与芯片相连接的金丝的外围四周，用高粘度耐高温UV胶涂布筑坝形成坝体；S22，机械手臂吸住冲切下来的盖板并将盖板覆盖在坝体的顶端；S23，将封好盖板的智能标签模块放入UV固化炉中进行固化。上述的一种智能标签模块芯片中空封装工艺，其中，所述高粘度耐高温UV胶的黏度为150000～200000mPa.s，所述盖板采用半透明的环氧玻璃纤维布或者透UV的耐高温薄膜。上述的一种智能标签模块芯片中空封装工艺，其中，所述盖板的厚度为0.1～0.3mm，所述坝体的壁厚为0.3～1.0mm，高度为0.5～0.6mm。上述的一种智能标签模块芯片中空封装工艺，其中，所述坝体的形状为圆形或方形，所述盖板与所述坝体相适配。上述的一种智能标签模块芯片中空封装工艺，步骤S2中，所述中空封装形式采用封盖中空封装形式，具体包括以下工序：将预制的中空封盖罩在芯片以及与芯片相连接的金丝上，并将中空封盖的底端通过胶黏剂固定在所述载带上。上述的一种智能标签模块芯片中空封装工艺，其中，所述中空封盖的截面形状为方形或圆形，所述中空封盖的材料为非金属材质，所述中空封盖的高度为0.5～0.6mm。上述的一种智能标签模块芯片中空封装工艺，其中，所述胶黏剂采用UV胶，经过UV固化炉中光固化后，使得所述中空封盖的底端与载带密合，且所述中空封盖的材质具有UV透光性。上述的一种智能标签模块芯片中空封装工艺，其中，所述胶黏剂采用热固化胶黏剂，经过热固化后，使得所述中空封盖的底端与载带密合。上述的一种智能标签模块芯片中空封装工艺，其中，所述载带采用环氧玻璃纤维布载带或耐高温的聚酰亚胺载带。本专利技术的智能标签模块芯片中空封装工艺，采用中空耐高温、密闭的封装形式将芯片以及与芯片互连的金丝封装起来，由于避免了采用UV胶在封装区域内将金丝、芯片以及压焊点全部用UV有机材料包封，从而使标签模块产品，不仅可以使用在较高的温度，且可以使用在温度波动幅度大、温度变换频繁的比较严酷的环境下；且由于中空封装芯片和金丝是处，在密闭的环境中，故它也可以在一定的抗潮湿或腐蚀气体环境下正常工作。附图说明图1为现有技术中的智能标签模块芯片UV封装的结构图；图2为现有技术中的智能标签模块芯片采用UV筑坝加UV胶填料封装的结构图；图3为UV胶筑坝中空封装形式的结构示意图；图4为坝体的形状为圆形的结构示意图；图5为坝体的形状为方形的结构示意图；图6为封盖中空封装形式的结构示意图；图7为中空封盖的截面形状为方形的结构示意图；图8为中空封盖的截面形状为圆形的结构示意图；图9为采用本专利技术的智能标签模块芯片中空封装工艺制备的智能标签模块的结构示意图(LM3射频标签模块)；图10为采用本专利技术的智能标签模块芯片中空封装工艺制备的智能标签模块的结构示意图(LM3射频标签模块)；图11为采用本专利技术的智能标签模块芯片中空封装工艺制备的智能标签模块的结构示意图(LM4射频标签模块)；图12为采用本专利技术的智能标签模块芯片中空封装工艺制备的智能标签模块的结构示意图(LM4射频标签模块)。具体实施方式为了使本
的技术人员能更好地理解本专利技术的技术方案，下面结合附图对其具体实施方式进行详细地说明：实施例1：请参阅图3、图4和图5，本专利技术的实施例，一种智能标签模块芯片中空封装工艺，包括以下步骤：S1，载带10采用环氧玻璃纤维布载带或耐高温的聚酰亚胺载带，在载带10的正面焊接芯片11以及与芯片11相连接的两根金丝12，完成常规的芯片焊接和金丝球焊工序；S2，采用UV胶筑坝中空封装形式将载带上的芯片以及与芯片相连的两根金丝封装起来，且UV胶不触及到金丝和芯片，具体包括以下工序：S21，在芯片11以及与芯片11相连接的金丝12的外围四周，用高粘度耐高温UV胶涂布筑坝形成坝体21；S22，机械手臂吸住冲切下来的盖板22并将盖板22覆盖在坝体21的顶端；S23，将封好盖板13的智能标签模块放入UV固化炉中进行固化。高粘度耐高温UV胶的黏度为150000～200000mPa.s，盖板22采用半透明的环氧玻璃纤维布，也可以采用其他透UV的耐高温薄膜。盖板22的厚度为0.1～0.3mm，坝体21的壁厚为0.3～1.0mm，高度为0.5～0.6mm。盖板的厚度以及坝体的大小可以根据实际的情况进行调整。坝体21的形状可以为圆形(见图4)或方形(见图5)，盖板22与坝体21相适配。当机械手臂吸住冲切下来的盖板22，并将它放置在本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种智能标签模块芯片中空封装工艺，其特征在于，包括以下步骤：/nS1，在载带的正面焊接芯片以及与芯片相连接的两根金丝；/nS2，采用中空封装形式将载带上的芯片以及与芯片相连的两根金丝封装起来，且UV胶不触及到金丝和芯片。/n

【技术特征摘要】
1.一种智能标签模块芯片中空封装工艺，其特征在于，包括以下步骤：
S1，在载带的正面焊接芯片以及与芯片相连接的两根金丝；
S2，采用中空封装形式将载带上的芯片以及与芯片相连的两根金丝封装起来，且UV胶不触及到金丝和芯片。


2.根据权利要求1所述的一种智能标签模块芯片中空封装工艺，其特征在于，步骤S2中，所述中空封装形式采用UV胶筑坝中空封装形式，具体包括以下工序：
S21，在芯片以及与芯片相连接的金丝的外围四周，用高粘度耐高温UV胶涂布筑坝形成坝体；
S22，机械手臂吸住冲切下来的盖板并将盖板覆盖在坝体的顶端；
S23，将封好盖板的智能标签模块放入UV固化炉中进行固化。


3.根据权利要求2所述的一种智能标签模块芯片中空封装工艺，其特征在于，所述高粘度耐高温UV胶的黏度为150000～200000mPa.s，所述盖板采用半透明的环氧玻璃纤维布或者透UV的耐高温薄膜。


4.根据权利要求2所述的一种智能标签模块芯片中空封装工艺，其特征在于，所述盖板的厚度为0.1～0.3mm，所述坝体的壁厚为0.3～1.0mm，高度为0.5～0.6mm。


5.根据权利要求2所述的一...

【专利技术属性】
技术研发人员：周宗涛，
申请(专利权)人：诺得卡上海微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31