半导体装置和制造半导体装置的方法制造方法及图纸

半导体装置和制造半导体装置的方法。在一个实例中，一种半导体装置包括：基底组合件，所述基底组合件包括：第一衬底；第一装置，所述第一装置位于所述第一衬底的顶表面上；以及第一包封料，所述第一包封料位于所述第一衬底的所述顶表面上并且形成所述第一装置的侧表面的边界。所述半导体装置进一步包括导电柱，所述导电柱位于所述第一衬底上和第一模制化合物中，其中所述导电柱包括非导电柱芯和所述柱芯上的导电柱壳。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置和制造半导体装置的方法
本公开总体上涉及电子装置，并且更具体地涉及半导体装置和制造半导体装置的方法。
技术介绍
现有半导体封装和形成半导体封装的方法存在不足之处，例如造成成本过多、可靠性降低、性能相对较低或封装尺寸太大。对于本领域的技术人员来说，通过将常规和传统方法与本公开进行比较并且参考附图，此类方法的另外的局限性和缺点将变得明显。
技术实现思路
本公开的一态样为一种半导体装置，其包括：基底组合件，所述基底组合件包括：第一衬底；第一装置，所述第一装置位于所述第一衬底的顶表面上；以及第一包封料，所述第一包封料位于所述第一衬底的所述顶表面上并且形成所述第一装置的侧表面的边界；以及导电柱，所述导电柱位于所述第一衬底上和第一模制化合物中；其中所述导电柱包括非导电柱芯和所述柱芯上的导电柱壳。所述态样的半导体装置中，所述导电柱壳的顶端从所述包封料暴露，并且所述导电柱芯的顶端被所述导电柱壳的所述顶端覆盖。所述态样的半导体装置中，所述第一衬底包括与所述柱壳和所述柱芯耦接的衬垫。所述态样的半导体装置中，其中所述导电柱的高度为约110微米到约350微米。所述态样的半导体装置进一步包括底部填料，所述底部填料位于所述第一装置与所述第一衬底的所述顶表面之间。所述态样的半导体装置中，所述第一装置或所述第二装置包括有源装置、无源装置、半导体管芯或半导体封装。所述态样的半导体装置进一步包括：顶部组合件，所述顶部组合件包括：第二衬底；第二装置，所述第二装置位于所述第二衬底的顶表面上；以及第二包封料，所述第二包封料位于所述第二衬底的所述顶表面上并且形成所述第二装置的侧表面的边界；以及互连件，所述互连件位于所述第二衬底的底表面上；其中所述互连件将所述第二衬底与所述导电柱的顶端耦接。所述态样的半导体装置进一步包括界面层，所述界面层位于所述顶部组合件与所述基底组合件之间，所述界面层形成所述顶部组合件的所述互连件的边界。所述态样的半导体装置中，所述包封料的顶端与所述导电柱的顶端基本上共面。与所述第一装置的顶端相比，所述导电柱的所述顶端从所述第一衬底的所述顶表面延伸得更远。所述态样的半导体装置中，所述包封料的顶端与所述导电柱的顶端和所述第一装置的顶端基本上共面。所述态样的半导体装置中，所述柱芯的宽度大于所述柱壳的厚度，所述柱芯的所述宽度为大约50微米到大约200微米，并且所述柱壳的所述厚度为大约10微米到大约50微米。本公开的另一态样为一种用于制造半导体装置的方法，所述方法包括：在第一衬底的顶表面上设置非导电材料的柱芯；在所述柱芯上设置柱壳以形成导电柱；在所述第一衬底的所述顶表面上放置第一装置；以及在所述第一衬底的所述顶表面上设置接触所述第一装置的侧表面和所述导电柱的第一包封料。所述态样的方法中，设置所述柱芯包括：在所述第一衬底的所述顶表面上设置非导电材料；以及去除所述非导电材料的一部分以限定所述柱芯；并且所述柱芯与所述第一衬底的衬垫直接接触。所述态样的方法进一步包括：在所述第一包封料的顶表面上放置顶部组合件，其中所述顶部组合件包括第二衬底和所述第二衬底上的第二装置，并且其中所述导电柱将所述第二装置电耦接到所述第一衬底。所述态样的方法进一步包括在设置所述柱壳之前，在所述柱芯上设置晶种层。所述态样的方法进一步包括在设置所述柱壳之前，在所述衬底的所述顶表面上设置光刻胶并且去除所述光刻胶的一部分以限定所述柱芯。所述态样的方法中，设置所述柱壳包括溅射或镀覆。本公开的又一态样为一种用于制造半导体装置的方法，所述方法包括：在载体上设置重布层衬底，其中所述重布层衬底包括介电结构和所述介电结构中的重布结构；在所述重布层衬底的顶表面上设置非导电材料；去除所述非导电材料的一部分以形成柱芯；在所述柱芯上设置柱壳以形成与所述重布结构电耦接的导电柱；在所述重布层衬底上放置接触所述重布结构的装置；在所述重布层衬底的所述顶表面上设置与所述装置的侧表面接触的包封料；以及去除所述载体并且在所述重布层衬底的与所述重布结构电耦接的底表面上设置互连件。所述又一态样的方法进一步包括在所述装置与所述重布层衬底的所述顶表面之间设置底部填料。所述又一态样的方法进一步包括在所述包封料的顶表面上设置通过所述导电柱接触所述重布结构的另外的重布层衬底。附图说明图1示出了示例半导体装置的横截面视图。图2A到2L示出了用于制造示例半导体装置的示例方法的横截面视图。具体实施方式以下讨论提供了半导体装置和制造半导体装置的方法的各种实例。这种实例是非限制性的，并且所附权利要求的范围不应限于所公开的特定实例。在以下讨论中，术语“实例”和“例如”是非限制性的。附图展示了一般的构造方式，并且可以省略公知特征和技术的描述和细节，以避免不必要地模糊本公开。另外，附图中的元件不一定按比例绘制。例如，图中的元件中的一些元件的尺寸可能相对于其它元件而被放大以有助于改善对本公开中所讨论的实例的理解。不同附图中的相同附图标记表示相同的元件。术语“或”意味着由“或”连接的列表中的项目的任何一个或多个项目。作为实例，“x或y”意味着三元素集合{(x),(y),(x,y)}中的任何元素。作为另一个实例，“x、y或z”意味着七元素集合{(x),(y),(z),(x,y),(x,z),(y,z),(x,y,z)}中的任何元素。可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，并且这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅是用来将一个元件与另一个元件进行区分。因此，例如，在不背离本公开的教导的情况下，本公开中所讨论的第一元件可以被称为第二元件。除非另外指明，否则术语“耦接”可以用于描述彼此直接接触的两个元件或描述通过一个或多个其它元件间接连接的两个元件。例如，如果元件A耦接到元件B，则元件A可以直接接触元件B或通过中间元件C间接连接到元件B。类似地，术语“之上”或“上”可以用于描述彼此直接接触的两个元件或描述通过一个或多个其它元件间接连接的两个元件。在一个实例中，一种半导体装置包括：基底组合件，所述基底组合件包括：第一衬底；第一装置，所述第一装置位于所述第一衬底的顶表面上；以及第一包封料，所述第一包封料位于所述第一衬底的所述顶表面上并且形成所述第一装置的侧表面的边界。所述半导体装置进一步包括导电柱，所述导电柱位于所述第一衬底上和第一模制化合物中，其中所述导电柱包括非导电柱芯和所述柱芯上的导电柱壳。在另一个实例中，一种用于制造半导体装置的方法包括：在第一衬底的顶表面上设置非导电材料的柱芯；在所述柱芯上设置柱壳以形成导电柱；在所述第一衬底的所述顶表面上放置第一装置；以及在所述第一衬底的所述顶表面上设置接触所述第一装置的侧表面和所述导电柱的第一包封料。在另外的实例中，一种用于制造半导体装置的方法包括：在载体上设置重布层(RDL)衬底，其中所述RDL衬底包括介电结构和所述介电结构中的重布结构；在所述RDL衬底的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，其包括：/n基底组合件，所述基底组合件包括：/n第一衬底；/n第一装置，所述第一装置位于所述第一衬底的顶表面上；以及/n第一包封料，所述第一包封料位于所述第一衬底的所述顶表面上并且形成所述第一装置的侧表面的边界；以及/n导电柱，所述导电柱位于所述第一衬底上和第一模制化合物中；/n其中所述导电柱包括非导电柱芯和所述柱芯上的导电柱壳。/n

【技术特征摘要】
20190528 US 16/423,4241.一种半导体装置，其包括：
基底组合件，所述基底组合件包括：
第一衬底；
第一装置，所述第一装置位于所述第一衬底的顶表面上；以及
第一包封料，所述第一包封料位于所述第一衬底的所述顶表面上并且形成所述第一装置的侧表面的边界；以及
导电柱，所述导电柱位于所述第一衬底上和第一模制化合物中；
其中所述导电柱包括非导电柱芯和所述柱芯上的导电柱壳。


2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：
所述导电柱壳的顶端从所述包封料暴露；并且
所述导电柱芯的顶端被所述导电柱壳的所述顶端覆盖。


3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一衬底包括与所述柱壳和所述柱芯耦接的衬垫。


4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述导电柱的高度为约110微米到约350微米。


5.根据权利要求1所述的半导体装置，其进一步包括底部填料，所述底部填料位于所述第一装置与所述第一衬底的所述顶表面之间。


6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一装置或所述第二装置包括有源装置、无源装置、半导体管芯或半导体封装。


7.根据权利要求1所述的半导体装置，其进一步包括：
顶部组合件，所述顶部组合件包括：
第二衬底；
第二装置，所述第二装置位于所述第二衬底的顶表面上；以及
第二包封料，所述第二包封料位于所述第二衬底的所述顶表面上并且形成所述第二装置的侧表面的边界；以及
互连件，所述互连件位于所述第二衬底的底表面上；
其中所述互连件将所述第二衬底与所述导电柱的顶端耦接。


8.根据权利要求7所述的半导体装置，其进一步包括：
界面层，所述界面层位于所述顶部组合件与所述基底组合件之间，所述界面层形成所述顶部组合件的所述互连件的边界。


9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：
所述包封料的顶端与所述导电柱的顶端基本上共面；并且
与所述第一装置的顶端相比，所述导电柱的所述顶端从所述第一衬底的所述顶表面延伸得更远。


10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：
所述包封料的顶端与所述导电柱的顶端和所述第一装置的顶端基本上共面。


11.根据权利要求1所述的半导体装置...

【专利技术属性】
技术研发人员：莫印苏，李文古，李义波，其王门，
申请(专利权)人：安靠科技新加坡控股私人有限公司，
类型：发明
国别省市：新加坡;SG