【技术实现步骤摘要】
半导体装置和制造半导体装置的方法
本公开总体上涉及电子装置，并且更具体地涉及半导体装置和制造半导体装置的方法。
技术介绍
现有半导体封装和形成半导体封装的方法存在不足之处，例如造成成本过多、可靠性降低、性能相对较低或封装尺寸太大。对于本领域的技术人员来说，通过将常规和传统方法与本公开进行比较并且参考附图，此类方法的另外的局限性和缺点将变得明显。
技术实现思路
本公开的一态样为一种半导体装置，其包括：基底组合件，所述基底组合件包括：第一衬底；第一装置，所述第一装置位于所述第一衬底的顶表面上；以及第一包封料，所述第一包封料位于所述第一衬底的所述顶表面上并且形成所述第一装置的侧表面的边界；以及导电柱，所述导电柱位于所述第一衬底上和第一模制化合物中；其中所述导电柱包括非导电柱芯和所述柱芯上的导电柱壳。所述态样的半导体装置中，所述导电柱壳的顶端从所述包封料暴露，并且所述导电柱芯的顶端被所述导电柱壳的所述顶端覆盖。所述态样的半导体装置中，所述第一衬底包括与所述柱壳和所述柱芯耦接的衬垫。所述态样...
【技术保护点】
1.一种半导体装置，其包括：/n基底组合件，所述基底组合件包括：/n第一衬底；/n第一装置，所述第一装置位于所述第一衬底的顶表面上；以及/n第一包封料，所述第一包封料位于所述第一衬底的所述顶表面上并且形成所述第一装置的侧表面的边界；以及/n导电柱，所述导电柱位于所述第一衬底上和第一模制化合物中；/n其中所述导电柱包括非导电柱芯和所述柱芯上的导电柱壳。/n
【技术特征摘要】
20190528 US 16/423,4241.一种半导体装置，其包括：
基底组合件，所述基底组合件包括：
第一衬底；
第一装置，所述第一装置位于所述第一衬底的顶表面上；以及
第一包封料，所述第一包封料位于所述第一衬底的所述顶表面上并且形成所述第一装置的侧表面的边界；以及
导电柱，所述导电柱位于所述第一衬底上和第一模制化合物中；
其中所述导电柱包括非导电柱芯和所述柱芯上的导电柱壳。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：
所述导电柱壳的顶端从所述包封料暴露；并且
所述导电柱芯的顶端被所述导电柱壳的所述顶端覆盖。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一衬底包括与所述柱壳和所述柱芯耦接的衬垫。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述导电柱的高度为约110微米到约350微米。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其进一步包括底部填料，所述底部填料位于所述第一装置与所述第一衬底的所述顶表面之间。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一装置或所述第二装置包括有源装置、无源装置、半导体管芯或半导体封装。
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其进一步包括：
顶部组合件，所述顶部组合件包括：
第二衬底；
第二装置，所述第二装置位于所述第二衬底的顶表面上；以及
第二包封料，所述第二包封料位于所述第二衬底的所述顶表面上并且形成所述第二装置的侧表面的边界；以及
互连件，所述互连件位于所述第二衬底的底表面上；
其中所述互连件将所述第二衬底与所述导电柱的顶端耦接。
8.根据权利要求7所述的半导体装置，其进一步包括：
界面层，所述界面层位于所述顶部组合件与所述基底组合件之间，所述界面层形成所述顶部组合件的所述互连件的边界。
9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：
所述包封料的顶端与所述导电柱的顶端基本上共面；并且
与所述第一装置的顶端相比，所述导电柱的所述顶端从所述第一衬底的所述顶表面延伸得更远。
10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：
所述包封料的顶端与所述导电柱的顶端和所述第一装置的顶端基本上共面。
11.根据权利要求1所述的半导体装置...
【专利技术属性】
技术研发人员：莫印苏，李文古，李义波，其王门，
申请(专利权)人：安靠科技新加坡控股私人有限公司，
类型：发明
国别省市：新加坡;SG
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