【技术实现步骤摘要】
基于March算法的DRAM故障检测方法和装置
本申请涉及半导体集成电路测试
，特别涉及为一种基于March算法的DRAM故障检测方法和装置。
技术介绍
随着半导体技术的不断发展和集成电路制造水平的不断提高，集成电路芯片的密度越来越大，存储器的容量和速度也在快速增长，存储器发生故障的概率也越来越大，故障种类越来越多，存储器的故障检测也越来越难。存储器故障可分为物理故障和逻辑故障，存储器物理故障指的是存储器在生产制造过程中物理结构发生了改变，逻辑故障是简化的存储器故障模型，所有的物理缺陷都可以映射为存储器故障模型。目前直接检测存储器的物理故障比较困难，现有技术一般检测存储器的逻辑故障以反映物理故障。逻辑故障包括固定故障SAF、转换故障TF、耦合故障CF、寻址故障AF、数据保留故障DRF等。DRAM内存的检测一般是由软件实现的，针对上述存储器故障模型，人们设计出了许多存储器检测算法，不同的算法具有不同的实现方式、复杂度和故障覆盖率。检测算法的复杂度越低、故障覆盖率越高，则算法的检测效率越好，如果一个算法能够用最少的...
【技术保护点】
1.一种基于March算法的DRAM故障检测方法，其特征在于，包括：/nS1，根据DRAM内单元的地址递增或地址递减，对DRAM内各个存储单元进行依序写值操作；/nS2，对各个存储单元进行延迟操作；/nS3，所述延迟操作之后对各个存储单元进行读值操作，并判断读取的数值是否与写入的数值一致，若一致，则DRAM不存在数据保留故障，反之，则DRAM存在数据保留故障，完成DRAM数据保留故障的检测。/n
【技术特征摘要】
1.一种基于March算法的DRAM故障检测方法，其特征在于，包括：
S1，根据DRAM内单元的地址递增或地址递减，对DRAM内各个存储单元进行依序写值操作；
S2，对各个存储单元进行延迟操作；
S3，所述延迟操作之后对各个存储单元进行读值操作，并判断读取的数值是否与写入的数值一致，若一致，则DRAM不存在数据保留故障，反之，则DRAM存在数据保留故障，完成DRAM数据保留故障的检测。
2.根据权利要求1所述的基于March算法的DRAM故障检测方法，其特征在于，所述根据DRAM内单元的地址递增或地址递减，对DRAM内各个存储单元进行依序写值操作的步骤，包括：
根据DRAM内单元的地址递增或地址递减，向各个存储单元依序写入“0”值或者“1”值。
3.根据权利要求2所述的基于March算法的DRAM故障检测方法，其特征在于，所述延迟操作之后对各个存储单元进行读值操作，并判断读取的数值是否与写入的数值一致的步骤，包括：
从各个存储单元读取“0”值或者“1”值；
判断读取的数值是否与写入的数值一致；
若一致，则DRAM不存在数据保留故障，反之，则DRAM存在数据保留故障。
4.根据权利要求1所述的基于March算法的DRAM故障检测方法，其特征在于，所述完成DRAM数据保留故障的检测的步骤之后，还包括：
S4，根据DRAM内单元的地址递增或地址递减，向DRAM内各个存储单元依序写入16位数值，第一次向DRAM内各个存储单元依序写入所述16位数值包括“0000000000000001”或者“1111111111111110”；
S5，根据DRAM内单元的地址递增或地址递减，读取DRAM内各个存储单元中输入的16位数值，并判断读取数值与写入数值是否一致，若一致，则向DRAM内各个存储单元依序写入将“1”或“0”向左移1位后的16位数值，即第二次的16位数值包括“0000000000000010”或者“1111111111111101”；
S6，重复执行上述步骤S5，直至进行16次的读写过程后，若每次的读写过程中判断数值均无误，则DRAM无故障，若读写过程中出现数值有误，则认定DRAM出现故障。
5.根据权利要求4所述的基于March算法的DRAM故障检测方法，其特征在于，在执行步骤S1至S3的过程中，还包括：
所述写值操作时，依地址顺序写入第一次的16位数值；
进...
【专利技术属性】
技术研发人员：魏佳辉，刘敏，戴洋洋，陈宗廷，李斌，
申请(专利权)人：深圳市宏旺微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
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