基于March算法优化的DRAM检测故障方法、装置及系统制造方法及图纸

本申请提供了一种基于March算法优化的DRAM检测故障方法、装置及系统，运用于半导体集成电路测试领域，其通过地址定位单元，以定位DRAM存储器内各单元的读写地址；通过算法加载单元，加载预存的新型改进算法以获取与读写地址数量和位置相应的测试写入值和与所述测试写入值对应的测试读取值；通过写入单元，将所述测试写入值一一对应的写入DRAM存储器中各个读写地址位置；通过读取单元，对应的获取各个读写地址位置反馈的实际读取值；通过判断单元，比对判断所述测试读取值和实际读取值是否符合预设定的验证规则；最终通过判定单元，当判定不符合时，则判定所述DRAM存在故障；有效的解决现有测试方法存在成本高，不能单独测试具体参数的问题。

【技术实现步骤摘要】
基于March算法优化的DRAM检测故障方法、装置及系统
本申请涉及半导体集成电路测试
，特别涉及为一种基于March算法优化的DRAM检测故障方法、装置及系统。
技术介绍
随着深亚微米技术的发展，存储器密度的增长使存储器的测试面临着更大的挑战。随着半导体工艺尺寸不断缩小，存储器可能存在的故障类型越来越多，使得测试时间和测试成本都急剧增长。因此，存储器测试方法的研究日益受到重视。在可以接受的测试费用和测试时间的限制下，准确的故障模型和有效的测试算法是至关重要的，存储器测试算法的选择以及测试的实现方法是存储器测试的关键。March算法是业界公认的最普遍的存储器测试算法，该算法可检测出固定故障SAF、地址解码故障AF、转换故障TF和相邻图形敏感故障NPSF。March算法是所有算法中覆盖率较高的。原有的算法中很多操作步骤，都是为了区别出不同的故障类型，而在计算机整机的产品测试中，要求是故障覆盖率达到的同时测试时间尽量缩短，因此可以通过提高故障覆盖率和缩减测试时间达到优化的目的。特别是对于DRAM单元的故障问题，需要把它映射成逻本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于March算法优化的DRAM检测故障方法，其特征在于，包括：/n定位DRAM存储器内各单元的读写地址；/n加载预存的新型改进算法以获取与读写地址数量和位置相应的测试写入值和与所述测试写入值对应的测试读取值；/n将所述测试写入值一一对应的写入DRAM存储器中各个读写地址位置；/n对应的获取各个读写地址位置反馈的实际读取值；/n比对判断所述测试读取值和实际读取值是否符合预设定的验证规则；/n若否，则判定所述DRAM存在故障。/n

【技术特征摘要】
1.一种基于March算法优化的DRAM检测故障方法，其特征在于，包括：
定位DRAM存储器内各单元的读写地址；
加载预存的新型改进算法以获取与读写地址数量和位置相应的测试写入值和与所述测试写入值对应的测试读取值；
将所述测试写入值一一对应的写入DRAM存储器中各个读写地址位置；
对应的获取各个读写地址位置反馈的实际读取值；
比对判断所述测试读取值和实际读取值是否符合预设定的验证规则；
若否，则判定所述DRAM存在故障。


2.根据权利要求1所述的基于March算法优化的DRAM检测故障方法，其特征在于，所述新型改进算法包括顺序写读数据算法，所述测试写入值包括第一pattern值，所述测试读取值采用与测试写入值相同的第一pattern值；所述将所述测试写入值一一对应的写入DRAM存储器中各个读写地址位置，对应的获取各个读写地址位置反馈的实际读取值，比对判断所述测试读取值和实际读取值是否符合预设定的验证规则，若否，则判定所述DRAM存在故障的步骤包括：
确定DRAM存储器中各个读写地址的顺序排列；
从所述各个读写地址的顺序排列的起始位置直至终点位置按顺序写入所述测试写入值的第一pattern值；
从所述各个读写地址的顺序排列的起始位置直至终点位置按顺序读取所述实际读取值；
判断读取到的多个所述实际读取值与测试读取值的第一pattern值是否相同；
若存在一项或多项不相同，则判定所述DRAM存在故障。


3.根据权利要求2所述的基于March算法优化的DRAM检测故障方法，其特征在于，所述测试写入值包括与第一pattern值相反的第二pattern值，所述测试读取值采用与测试写入值的第二pattern值相同的第二pattern值；所述将测试写入值一一对应的写入DRAM存储器中各个读写地址位置，对应的获取各个读写地址位置反馈的实际读取值，比对判断所述测试读取值和实际读取值是否符合预设定的验证规则，若否，则判定所述DRAM存在故障的步骤还包括：
确定DRAM存储器中各个读写地址的顺序排列；
从所述各个读写地址的顺序排列的终点位置直至起始位置按顺序写入所述测试写入值的第二pattern值；
从所述各个读写地址的顺序排列的终点位置直至起始位置按顺序读取所述实际读取值；
判断读取到的多个所述实际读取值与所述测试读取值的第二pattern值是否相同；
若存在一项或多项不相同，则判定所述DRAM存在故障。


4.根据权利要求3所述的基于March算法优化的DRAM检测故障方法，其特征在于，提供第一测试缓存将
所述从各个读写地址的顺序排列的起始位置直至终点位置按顺序写入所述测试写入值的第一pattern值；从所述各个读写地址的顺序排列的起始位置直至终点位置按顺序读取所述实际读取值；判断读取到的多个所述实际读取值与测试读取值的第一pattern值是否相同；若存在一项或多项不相同，则判定所述DRAM存在故障；以及
所述从各个读写地址的顺序排列的终点位置直至起始位置按顺序写入所述测试写入值的第二pattern值；从所述各个读写地址的顺序排列的终点位置直至起始位置按顺序读取所述实际读取值；判断读取到的多个所述实际读取值与测试读取值的第二pattern值是否相同；若存在一项或多项不相同，则判定所述DRAM存在故障；中的任一项导入至第一测试缓存中，以同时进行正序与反序故障检测。


5.根据权利要求1所述的基于March算法优化的DRAM检测故障方法，其特征在于，所述新型改进算法包括随机移动反转算法，所述测试写入值包括第一二进制值，所述测试读取值采用与测试写入值的第一二进制值相同的第一二进制值；所述将所述测试写入值一一对应的写入DRAM存储器中各个读写地址位置，对应的获取各个读写地址位置反馈的实际读取值，比对判断所述测试读取值和实际读取值是否符合预设定的验证规则，若否，则判定所述DRAM存在故障的步骤包括：
确定DRAM存储器中各个读写地址的顺序排列；
从所述各个读写地址的顺序排列的起始位置直至终点位置按顺序写入所述测试写入值的第一二进制值，所述第一二进制值为0；
从所述各个读写地址的顺序排列的起始位置直至终点位置按顺序读取所述实际读取值；
判断读取到的多个所述实际读取值与测试...

【专利技术属性】
技术研发人员：李斌，
申请(专利权)人：深圳市宏旺微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44