【技术实现步骤摘要】
存储器存放装置及其动态数据修复的方法
本专利技术涉及一种具有动态数据修复机制的存储器存放装置及其动态数据修复的方法。
技术介绍
一般来说,可根据特定错误修正码(errorcorrectingcodes;ECC)方案将待写入到可重写非易失性存储器(non-volatilememory;NVM)的用户数据编码成码字。码字通常包含待存储的用户数据、对应于特定ECC方案的奇偶校验位以及任选各种其它的旗标比特。读取自可重写非易失性存储器的码字还可通过对应解码程序来处理以恢复为原始用户数据。当NVM接近生命周期结束时,在写入过程期间可发生错误。当发生错误时NVM将需要一种方式来修复写入在NVM上的用户数据以延伸NVM的使用寿命。当NVM仍在工厂进行测试时,如果检测到错误,则可以实施没有任何时间限制的重写过程。此外,NVM可以在NVM仍在工厂时重写整行或整列。然而,一旦NVM离开工厂并且完全可操作,NVM就被工厂规格绑定,以在每次写入周期期间在工厂规格内完成写入过程。此外,重写整行或整列不是一种选项,因为这样做会抹 ...
【技术保护点】
1.一种存储器存放装置,具有动态数据修复机制,其特征在于,所述存储器存放装置包括:/n连接接口,外部连接到主机系统的元件;/n存储器阵列;以及/n存储器控制电路,连接到所述连接接口以及所述存储器阵列且配置成至少进行以下操作:/n自所述连接接口接收包括用户数据以及所述用户数据的地址的写入命令;/n将所述用户数据编码成包括所述用户数据以及同比特的码字;/n在所述存储器阵列的第一存储器位置中写入所述码字以作为写入码字;/n执行所述写入码字的读取程序以判断所述写入码字是否被错误写入;以及/n响应于判断所述写入码字被错误写入,存储所述用户数据的冗余码字在第二存储器位置中。/n
【技术特征摘要】
1.一种存储器存放装置,具有动态数据修复机制,其特征在于,所述存储器存放装置包括:
连接接口,外部连接到主机系统的元件;
存储器阵列;以及
存储器控制电路,连接到所述连接接口以及所述存储器阵列且配置成至少进行以下操作:
自所述连接接口接收包括用户数据以及所述用户数据的地址的写入命令;
将所述用户数据编码成包括所述用户数据以及同比特的码字;
在所述存储器阵列的第一存储器位置中写入所述码字以作为写入码字;
执行所述写入码字的读取程序以判断所述写入码字是否被错误写入;以及
响应于判断所述写入码字被错误写入,存储所述用户数据的冗余码字在第二存储器位置中。
2.根据权利要求1所述的存储器存放装置,其中存储所述用户数据的所述冗余码字在所述第二存储器位置中包括:
存储所述地址的部分在所述第二存储器位置中。
3.根据权利要求1所述的存储器存放装置,其中存储所述用户数据的所述冗余码字在所述第二存储器位置中包括:
存储所述地址的全部在所述第二存储器位置中。
4.根据权利要求2所述的存储器存放装置,其中存储所述部分地址在所述第二存储器位置中包括:
存储所述部分地址在与所述冗余码字分开的位置。
5.根据权利要求2所述的存储器存放装置,其中存储所述部分地址在所述第二存储器位置中包括:
存储所述部分地址在所述冗余码字中。
6.根据权利要求1所述的存储器存放装置,其中所述存储器控制器电路配置为执行所述写入码字的所述读取程序以判断所述写入码字是否被错误写入包括:
判断所述读取程序中的错误比特数是否超过预定数;以及
响应于判断所述错误比特数已超过所述预定数,确认所述写入码字被错误写入。
7.根据权利要求1所述的存储器存放装置,其中所述存储器控制器电路进一步配置为:
执行存储在所述存储器阵列的所述第一存储器位置的所述写入码字的另一读取程序;以及
响应于判断所述另一读取程序尚未失败,释放所述第二存储器位置。
8.根据权利要求1所述的存储器存放装置,其中所述存储器控制器电路配置为响应于判断所述写入码字被错误写入,存储所述用户数据的所述冗余码字在所述第二存储器位置中包括:
以每个字为基础暂时存储所述用户数据的所述冗余码字在所述第二存储器位置中,所述第二存储器位置为响应于所述写入命令无法在基于工厂规格...
【专利技术属性】
技术研发人员:连存德,谢明辉,林小峰,张雅廸,林纪舜,
申请(专利权)人:华邦电子股份有限公司,
类型:发明
国别省市:中国台湾;71
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