一种新型调制MOS集成RG的方法技术

本发明专利技术公开了一种新型调制MOS集成RG的方法，包括以下步骤：根据实际情况设计RG结构；版图设计定型；根据版图计算方块电阻的大小；根据方阻的大小，选择poly implant（多晶注入）的工艺条件；实施poly implant（多晶注入）的操作；最终形成RG电阻,本发明专利技术通过多晶注入掺杂的搭配，可以实现不同RG的组合，实现不同RG的集成数值，具有操作简单，节约改版成本的优点。

【技术实现步骤摘要】
一种新型调制MOS集成RG的方法
本专利技术涉及电子元器件领域，特别涉及一种新型调制MOS集成RG的方法。
技术介绍
功率电子器件是电磁干扰EMI(ElectromagneticInterference)的发射机。由于近年来科学技术的发展和功率半导体器件开关性能的不断改善,开关频率不断增加,电磁兼容成为一个重要的课题。功率MOS器件作为功率开关管被应用于不同工业领域中,器件工作在on/off的快速循环转换状态,开关瞬态的电压变化率dv/dt和电流变化率di/dt急剧变化,会产生很高的EMI并辐射至周围电路，栅电阻RG的大小很多程度上决定着MOS关断瞬态的电压和电流波形的振荡幅值和振荡次数，直接决定着EMI的大小，因此需要一种新的方案来解决上述问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种新型调制MOS集成RG的方法，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种新型调制MOS集成RG的方法，包括以下步骤：S1.根据实际情况设计RG结构；S2.版图设计定型；本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种新型调制MOS集成RG的方法，其特征在于：包括以下步骤：/nS1.根据实际情况设计RG结构；/nS2.版图设计定型；/nS3.根据版图计算方块电阻的大小；/nS4.根据方阻的大小，选择poly implant（多晶注入）的工艺条件；/nS5.实施poly implant（多晶注入）的操作；/nS6.最终形成RG电阻。/n

【技术特征摘要】
1.一种新型调制MOS集成RG的方法，其特征在于：包括以下步骤：
S1.根据实际情况设计RG结构；
S2.版图设计定型；
S3.根据版图计算方块电阻的大小；
S4.根据方阻的大小，选择polyimplant（多晶注入）的工艺条件；
S5.实施polyimplant（多晶注入）的操作；
S6.最终形成RG电阻。

【专利技术属性】
技术研发人员：高洪波，廖兵，
申请(专利权)人：苏州达晶半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32