【技术实现步骤摘要】
基于DICE结构的SRAM存储单元加固方法和SRAM存储阵列
本专利技术涉及集成电路
，具体涉及一种基于DICE结构的SRAM存储单元加固方法和SRAM存储阵列。
技术介绍
SRAM（StaticRandom-AccessMemory，静态随机存取存储器）大量用于航空航天领域。由于空间应用环境复杂，空间高能带电粒子与器件相互作用，导致存储器的电参数变化，数据出错或丢失而不能正常工作，如何保证器件在辐射环境下正常工作，提高SRAM存储单元的抗辐射性能，是一直以来研究的热点。标准的SRAM基本存储单元结构不具备在辐射环境中应用的价值。现有技术中，晶体管与晶体管之间靠场氧隔离。在常规环境中，场氧没有导电沟道，不会有漏电流，而在辐射环境中，有可能形成场氧下反型的漏电沟道，从而延伸到邻近的NMOS的源/漏区，导致相邻NMOS管之间产生漏电流。与此同时，单粒子辐射也可能导致器件翻转，功能失效。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例提供了一种基于DICE结构的SRAM存储单元加固方法和SRAM存储阵列...
【技术保护点】
1.一种基于DICE结构的SRAM存储单元加固方法，其特征在于，所述方法包括：/n在电路设计双互锁存储单元DICE结构的基础上，在不能共用源端和漏端的起开关作用的NMOS管之间增加NMOS隔离管，增加的所述NMOS隔离管的栅极接GND。/n
【技术特征摘要】
1.一种基于DICE结构的SRAM存储单元加固方法，其特征在于，所述方法包括：
在电路设计双互锁存储单元DICE结构的基础上，在不能共用源端和漏端的起开关作用的NMOS管之间增加NMOS隔离管，增加的所述NMOS隔离管的栅极接GND。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
对所述SRAM存储单元中共用源端的NMOS根据预设规则增加P隔离环。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述P隔离环接GND。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
对所述SRAM存储单元中共用源端的PMOS根据预设规则增加N隔离环。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述N隔...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈玉蓉，沈婧，黄韵荃，张猛华，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第五十八研究所，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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