温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及集成电路技术领域，涉及一种基于DICE结构的SRAM存储单元加固方法和SRAM存储阵列。所述方法包括：在电路设计双互锁存储单元DICE结构的基础上，在不能共用源端和漏端的起开关作用的NMOS管之间增加NMOS隔离管，增加的所述NM...
该专利属于中国电子科技集团公司第五十八研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第五十八研究所授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。