一种高压多路复用器芯片的版图结构制造技术

本发明专利技术公开了一种高压多路复用器芯片的版图结构，第一版图区与第二版图区和第四版图区相连，第二版图区与第三版图区相连，第三版图区与第六版图区相连相连；第五版图区与第一、二、三、四、六版图区均相连；第一版图区为输入整形电路版图区；第二版图区为电平转换电路版图区；第三版图区为译码电路版图区；第四版图区为输入接口版图区；第五版图区为输出接口版图区；第六版图区为多路复用器电路版图区。本发明专利技术的版图结构，各版图区布局合理、紧凑，面积达到最优化，降低了芯片成本；同时，不同电压阈电路模块、数字模块和模拟模块之间有效隔离，提高通道一致性和抗闩锁能力。

【技术实现步骤摘要】
一种高压多路复用器芯片的版图结构
本专利技术涉及集成电路设计
，涉及芯片版图结构，尤其涉及一种高压多路复用器芯片的版图结构。
技术介绍
高压多路复用器常常用于模拟信号与数字控制器的接口，随着半导体技术的快速发展和消费电子产品的升级，开关功能是视频、音频传输及处理过程中的一个很重要组成部分，在手机和其它超便携产品中广泛应用，对高压多路复用器芯片的性能指标提出了更多的要求，除了要求低的导通电阻和电阻平坦性特性外，对在高压下通道串扰、通道一致性以及高压抗闩锁等特性要求显著提高，因此设计一款基于高压多路复用器芯片尤为必要。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是克服现有技术的缺陷，提供一种合理高效的多路复用器芯片的版图结构，通过合理的芯片布局布线实现了芯片的高性能、低成本、高压抗闩锁能力。为解决上述技术问题，本专利技术采用的技术方案如下：一种高压多路复用器芯片的版图结构，包括第一版图区、第二版图区、第三版图区、第四版图区、第五版图区和第六版图区，其中，第一版图区与第二版图区和第四版图区相连，第二版图区与第本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高压多路复用器芯片的版图结构，其特征是，包括第一版图区、第二版图区、第三版图区、第四版图区、第五版图区和第六版图区，其中，第一版图区与第二版图区和第四版图区相连，第二版图区与第三版图区相连，第三版图区与第六版图区相连相连；第五版图区与第一、二、三、四、六版图区均相连；/n第一版图区为输入整形电路版图区，包括逻辑控制输入和使能输入版图区，采用正电源和地供电；/n第二版图区为电平转换电路版图区，采用正电源和负电源供电；/n第三版图区为译码电路版图区，包括数字逻辑控制电路版图区，采用正电源和负电源供电；/n第四版图区为输入接口版图区，包括输入ESD保护版图区和地线版图区；/n第五版图区为输出...

【技术特征摘要】
1.一种高压多路复用器芯片的版图结构，其特征是，包括第一版图区、第二版图区、第三版图区、第四版图区、第五版图区和第六版图区，其中，第一版图区与第二版图区和第四版图区相连，第二版图区与第三版图区相连，第三版图区与第六版图区相连相连；第五版图区与第一、二、三、四、六版图区均相连；
第一版图区为输入整形电路版图区，包括逻辑控制输入和使能输入版图区，采用正电源和地供电；
第二版图区为电平转换电路版图区，采用正电源和负电源供电；
第三版图区为译码电路版图区，包括数字逻辑控制电路版图区，采用正电源和负电源供电；
第四版图区为输入接口版图区，包括输入ESD保护版图区和地线版图区；
第五版图区为输出接口版图区，包括输出接口版图区和正负电源线版图区；
第六版图区为多路复用器电路版图区，包括开关控制电路、开关电路和开关接口ESD保护版图区，采用正电源和负电源供电。


2.根据权利要求1所述的高压多路复用器芯片的版图结构，其特征是，第一版图区添加衬底隔离环和N阱隔离环与第...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕江萍，
申请(专利权)人：中国兵器工业集团第二一四研究所苏州研发中心，
类型：发明
国别省市：江苏;32