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本发明公开了一种新型调制MOS集成RG的方法，包括以下步骤：根据实际情况设计RG结构；版图设计定型；根据版图计算方块电阻的大小；根据方阻的大小，选择poly implant（多晶注入）的工艺条件；实施poly implant（多晶注入）的操...
该专利属于苏州达晶半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州达晶半导体有限公司授权不得商用。

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