【技术实现步骤摘要】
毫米波单片一体化设计方法
本专利技术涉及毫米波
，尤其涉及一种毫米波单片一体化设计方法。
技术介绍
毫米波是指波长在1mm到10mm之间的一段电磁波，学术上一般认为为频率在26.50GHz-300GHz之间的电磁波。毫米波具有很多的应用，在雷达，通信，安检，成像以及测试测量方面有广阔的应用前景。在毫米波的高端频率，例如100GHz到300GHz的频段，由于频率更高，波长更短，用于雷达可大幅提高成像分辨率，用于通信可大幅提高通信带宽和速率，处于学术界和产业界聚焦的
目前低于100GHz的毫米波的收发技术相对比较成熟，对于100GHz到300GHz频段的毫米波来讲，毫米波信号的发生和探测是非常重要的技术。目前国内外基于肖特基二极管的非线性特性来实现该频段的上下变频，主要是基于肖特基二极管的混合集成电路来实现。例如将分立的肖特基二极管倒装焊接在石英基板上，将石英基板放置在波导腔体上来实现毫米波信号的倍频产生和混频探测。目前毫米波的倍频和混频技术正在由混合集成电路形式向单片集成电路形式进行发展。单片集成电路相对...
【技术保护点】
1.一种毫米波单片一体化设计方法，其特征在于包括如下步骤：/n根据毫米波单片的结构，对毫米波单片的外围封装、外围匹配电路以及变频器件同时设计，采用电磁场和电路级联合仿真，同时将变频器件的非线性部分作为变量，在整体设计中对变频器件进行优化，采用优化后变频器件结合设计的外围封装以及外围匹配电路设计毫米波单片。/n
【技术特征摘要】
1.一种毫米波单片一体化设计方法，其特征在于包括如下步骤：
根据毫米波单片的结构，对毫米波单片的外围封装、外围匹配电路以及变频器件同时设计，采用电磁场和电路级联合仿真，同时将变频器件的非线性部分作为变量，在整体设计中对变频器件进行优化，采用优化后变频器件结合设计的外围封装以及外围匹配电路设计毫米波单片。
2.如权利要求1所述的毫米波单片一体化设计方法，其特征在于：所述毫米波单片包括250GHz单片混频集成电路。
3.如权利要求2所述的毫米波单片一体化设计方法，其特征在于包括如下步骤：
首先确定250GHz单片混频集成电路的外围封装电路的尺寸，包括用于传输250GHz信号的波导尺寸，包括波导口的高度和宽度，并确定用于传输信号波导的长度；设计E面波导到单片集成电路上的过度微带，用于将250GHz的射频信号引入到单片集成电路上，采用GaN衬底材料作为单片集成电路的基板，250GHz的射频信号经过射频过度微带线传输到起非线性变频功能的GaN肖特基二极管中；
引入本振信号，采用谐波设计，本振信号为射频信号的一半左右，确定124GHz本振信号的外围封装电路的尺寸，包括用于传输124GHz信号的波导...
【专利技术属性】
技术研发人员：张志国，刘育青，张洋阳，李少鹏，安国雨，郭黛翡，
申请(专利权)人：北京国联万众半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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