带有弯曲beam的单片集成电路及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种带有弯曲beam的单片集成电路及制备方法。所述单片集成电路包括毫米波单片集成电路模块，所述集成电路模块模块上形成有弯曲的梁式引线，所述梁式引线的起点和终端位于同一水平面上；所述梁式引线采用拱桥式设计，且所述梁式引线的中部拱起。采用弯曲的梁式引线，可使整个毫米波单片的机械性能较原来水平型梁式引线提升约50%，由于梁式引线中部高出两端，采用导电胶进行固定的时候，导电胶可以在拱桥底部，不易扩散到梁式引线以外区域，可以有效发挥毫米波单片集成电路的本征性能。性能。性能。

【技术实现步骤摘要】
带有弯曲beam的单片集成电路及其制备方法


[0001]本专利技术涉及毫米波集成电路
，尤其涉及一种带有弯曲beam的单片集成电路及其制备方法。

技术介绍

[0002]毫米波是指频率在波长在1mm到10mm之间的一段电磁波，学术上一般认为26.50GHz
‑
300GHz。毫米波具有很多的应用，在雷达，通信，安检，成像以及测试测量方面有广阔的应用前景。在毫米波的高端频率，例如100GHz到300GHz的频段，由于频率更高，波长更短，用于雷达可大幅提高成像分辨率，用于通信可大幅提高通信带宽和速率，处于学术界和产业界聚焦的

[0003]目前在毫米波单片集成电路领域，由于当工作频率很高时，比如达到100GHz甚至更高频率，由于单片集成电路衬底带来的寄生效应不容忽略，为了减少衬底的寄生效应，一般会将衬底进行减薄至很薄的厚度（数微米到几十微米），此时单片集成电路的机械承载性能不够，为了提高毫米波单片集成电路的承载性能，采用梁式引线的方式可以改善机械性能。目前的梁式引线均为水平结构（如图1所示），经常发生梁式引线损毁的情况且在于外围腔体进行连接的时候，经常会有导电胶溢出的现象，影响毫米波单品集成电路的整体性能。

技术实现思路

[0004]本专利技术所要解决的技术问题是如何提供一种能够提高整个毫米波单片集成电路机械性能的有弯曲beam的单片集成电路。
[0005]为解决上述技术问题，本专利技术所采取的技术方案是：一种带有弯曲beam的单片集成电路，其特征在于：包括毫米波单片集成电路模块，所述集成电路模块模块上形成有弯曲的梁式引线，所述梁式引线的起点和终端位于同一水平面上。
[0006]进一步的技术方案在于：所述梁式引线采用拱桥式设计，且所述梁式引线的中部拱起。
[0007]本专利技术还公开了一种带有弯曲beam的单片集成电路的制作方法，其特征在于包括如下步骤：制作毫米波单片集成电路模块；在所述毫米波单片集成电路模块上制作带有弯曲的梁式引线。
[0008]进一步的技术方案在于：首先是进行涂覆光刻胶，然后在需要制作梁式引线的区域进行光刻，只保留该区域的光刻胶，然后对光刻胶进行加热，导电胶加热后形成拱桥结构，即中间高，两端低的结构，此时对整个毫米波集成电路和梁式引线区域进行溅射，在溅射工艺过后，再次涂覆光刻胶，将需要进行制作梁式引线的区域进行光刻，然后进行电镀加厚，电镀加厚以后，对原溅射层的金属进行腐蚀，去掉溅射层金属后，对最底部的正胶采用去胶工艺将其去除，此时完成弯曲梁式引线的制作。
[0009]优选的，加热温度为120
°
。
[0010]优选的，第一次涂覆光刻胶时采用正胶系列。
[0011]优选的，所述梁式引线厚度为2微米以上。
[0012]优选的，第二次涂覆光刻胶时采用负胶系列。
[0013]采用上述技术方案所产生的有益效果在于：所述单片集成电路将原来毫米波单片集成电路周围的水平梁式引线改成弯曲型的梁式引线，弯曲型的梁式引线采用拱桥设计，其中梁式引线的起点和终点在同一水平线上，梁式引线中部拱起，采用弯曲的梁式引线，可使整个毫米波单片的机械性能较原来水平型梁式引线提升约50%，由于梁式引线中部高出两端，采用导电胶进行固定的时候，导电胶可以在拱桥底部，不易扩散到梁式引线以外区域，可以有效发挥毫米波单片集成电路的本征性能。
附图说明
[0014]下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细的说明。
[0015]图1是本专利技术现有技术中单片集成电路的结构示意图；图2是本专利技术实施例所述单片集成电路的结构示意图；其中：1、毫米波单片集成电路模块；2、梁式引线。
具体实施方式
[0016]下面结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0017]在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本专利技术，但是本专利技术还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本专利技术内涵的情况下做类似推广，因此本专利技术不受下面公开的具体实施例的限制。
[0018]如图2所示，本专利技术实施例公开了一种带有弯曲beam的单片集成电路，包括毫米波单片集成电路模块1，所述毫米波单片集成电路模块1可以为现有技术中的模块，其具体结构在此不做赘述。 所述集成电路模块模块上形成有弯曲的梁式引线2，所述梁式引线2的起点和终端位于同一水平面上，所述梁式引线2采用拱桥式设计，且所述梁式引线2的中部拱起。
[0019]本专利技术还公开了一种带有弯曲beam的单片集成电路的制作方法，包括如下步骤：制作毫米波单片集成电路模块1，所述毫米波单片集成电路模块1的制备工艺可以为现有技术中的工艺，其具体步骤在此不做赘述；伸出整个毫米波单片集成电路模块的部分即为梁式引线，同时梁式引线有部分区域是搭载在毫米波单片集成电路模块的衬底上，如附图1所示为目前常用的水平型梁式引线，附图2为本专利技术提出的弯曲型梁式引线。在本实施例中，将给出一种可行在所述毫米波单片集成电路模块1上制作带有弯曲的梁式引线2的方法，其具体步骤如下：首先是进行涂覆光刻胶（采用正胶系列），然后在需要制作梁式引线的区域进行光刻，只保留该区域的光刻胶，然后对光刻胶进行加热，一般可采用将光刻胶加热至120℃左右，导电胶会形成拱桥结构，即中间高两端低的结构，此时对整个毫米波集成电路和梁式引
线区域进行溅射，在溅射工艺过后，再次涂覆光刻胶（此次采用负胶系列），将需要进行制作梁式引线的区域进行光刻，然后进行电镀加厚，一般梁式引线的厚度需达到2微米以上。电镀加厚以后，需要对原溅射层的金属进行腐蚀，去掉溅射层金属后，对最底部的正胶采用去胶工艺将其去除，此时就制作完成了弯曲型号的梁式引线。
[0020]所述单片集成电路将原来毫米波单片集成电路周围的水平梁式引线改成弯曲型的梁式引线，弯曲型的梁式引线采用拱桥设计，其中梁式引线的起点和终点在同一水平线上，梁式引线中部拱起，采用弯曲的梁式引线，可使整个毫米波单片的机械性能较原来水平型梁式引线提升约50%，由于梁式引线中部高出两端，采用导电胶进行固定的时候，导电胶可以在拱桥底部，不易扩散到梁式引线以外区域，可以有效发挥毫米波单片集成电路的本征性能。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种带有弯曲beam的单片集成电路，其特征在于：包括毫米波单片集成电路模块（1），所述集成电路模块模块上形成有弯曲的梁式引线（2），所述梁式引线（2）的起点和终端位于同一水平面上。2.如权利要求1所述的带有弯曲beam的单片集成电路，其特征在于：所述梁式引线（2）采用拱桥式设计，且所述梁式引线（2）的中部拱起。3.一种带有弯曲beam的单片集成电路的制作方法，其特征在于包括如下步骤：制作毫米波单片集成电路模块（1）；在所述毫米波单片集成电路模块（1）上制作带有弯曲的梁式引线（2）。4.如权利要求3所述的带有弯曲beam的单片集成电路的制作方法，其特征在于：首先是进行涂覆光刻胶，然后在需要制作梁式引线的区域进行光刻，只保留该区域的光刻胶，然后对光刻胶进行加热，导电胶加热后形成拱桥结构，即中间高，两端低的结构...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘育青，张志国，安国雨，张洋阳，李少鹏，郭黛翡，
申请(专利权)人：北京国联万众半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：