具有电可调传递功能的半导体光电装置制造方法及图纸

技术编号:2679658 阅读:207 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术公开了一种光电装置,它包括至少三个选定形状的半导体层(1-3)及两空气隙的交替叠放。所述半导体层(1-3)为“N”或“P”型掺杂,相邻层的掺杂类型相同或不同,所述半导体层之间由未特意掺杂(“I”型)或特意掺杂(N或P型)的隔离层(8,9)分隔开,形成一个气腔(10-1,10-2)PINIP或NIPIN结构,所述半导体层适合承受选定的相应电势。所述层(1-3)和隔离层各自的厚度和组成这样选择,使得所述结构具有至少一种适合待处理光的光传递功能,所述功能可根据施加给半导体层的选定电势加以调节。(*该技术在2021年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及具有电可调光谱传递功能的半导体光学装置,尤其是“微光电机械”(micro-opto-électro-mécanique)装置,其缩写为MOEM。这类装置在Chang-Hasnain等人的专利US 5629951及US5771253中特别描述过。准确地讲,它们包括一底布拉格反射镜和一顶布拉格反射镜,所述镜由不同折射指数的半导体材料交叠而成。两布拉格反射镜之间由半导体隔离层分隔开,形成充满空气的Fabry-Pérot型垂直腔。其中一镜在静电作用下可变形,以改变气腔厚度,从而改变Fabry-Pérot腔的光谱特性。因此,该结构可作为波长可调滤波器、或光电检测器又或如波长可调谐激光器。这些装置必须使布拉格反射镜之一的各层一同移动,因而,考虑到所述悬空结构的机械刚性,必需相对较强的电场。另外,它们只能确保单一的信号光学处理功能(可调滤波),这限制了其在高度集成的光电子元件中的使用。本专利技术的目的在于弥补上面所述的全部或部分缺陷。为此,它所提出的一种半导体装置包括至少三个选定形状的半导体层及两空气隙交替叠放;这些半导体层包含有“N”或“P”型掺杂剂,相邻层的掺杂剂相同或不同本文档来自技高网...

【技术保护点】
半导体装置,其特征在于,它包括交替叠放的至少三个选定形状的半导体层(1-3)及两空气隙,这些半导体层中至少两层(1,2)有同类型的N或P型掺杂,而至少第三层(3)含有P型或N型掺杂,所述层(1-3)之间分别由选定的相应掺杂的隔离层(8, 9)分隔开,以确定一气腔结构(10-1,10-2),所述结构包括至少两PIN型子结构,可承受选定的相应电势,所述层(1-3)和隔离层(8,9)各自的厚度、组成及掺杂剂这样选择,使得所述结构具有至少一种适合待处理的光的光传递功能,所述功能 可根据施加给半导体层以使其在静电作用下变形的选定电势而调节。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:皮埃尔维克托罗维齐琼路易斯莱克勒奎克里斯蒂西索尔阿兰斯皮瑟米歇尔加里格斯
申请(专利权)人:国家科研中心里昂中心学校
类型:发明
国别省市:FR[法国]

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