用于修正SLM戳图像缺陷的方法和器件技术

本发明专利技术涉及工件的生产和精确绘图，包括用于光刻的光掩模的制造和在诸如半导体基底之类的其他基底上的直接写操作。具体地说，其涉及对图案数据应用修正，诸如ＳＬＭ曝光戳域中的变形修正。其可以用于在基底上生产器件。或者，可以将本发明专利技术实施为实施所公开的方法的器件或者包括适用于实施所公开的方法的程序的制造物品，特别是是存储器：易失性存储器或者非易失存储器。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及工件(work piece)的生产和精确绘图(patterning)，包括用于光刻(photolithography)的光掩模(photomask)的制造和在诸如半导体基底之类的其他基底上的直接写操作。具体地说，其涉及对图案数据应用修正，诸如SLM曝光戳(stamp)域中的变形修正。其可以用于在基底上生产器件。或者，可以将本专利技术实施为实施所公开的方法的器件或者包括用于实施所公开的方法的程序的制造物品，特别是存储器易失存储器或者非易失存储器。在所附说明书、附图和权利要求书中进一步对本专利技术的附加方面进行说明。
技术介绍
在参照上面的WO申请中描述了涉及掩模制造的各种变形(distortion)。这些变形通常涉及被在其上印有图案的基底的物理性质，即掩模空白和晶片或者晶盘(panel)、基底上的位置、包括曝光顺序和环境的曝光器件(其可以使用电磁辐射或者粒子束)以及图案自身。注意，还有其他潜在的变形原因。在所述WO申请中引用了这样的内容当使用SLM直接对工件进行写操作时应用变形修正，见第31、33、和35-36页。这些引用通常涉及使用SLM来修正变形，并没有描述对SLM所特有的变形进行修正。虽然没有在WO申请中提及，但是使用SLM的经验已经表明当使用SLM时产生某些额外类型的变形。作为跨越SLM场的空间变形，名义上戳位置、旋转和放大误差都在应该被关注的额外类型的变形之中。因此，有机会来应对使用SLM所特有的变形类型，并且将特别在SLM中可用的技术应用于许多种类的变形。
技术实现思路
本专利技术涉及工件的生产和精确绘图，包括用于光刻的光掩模的制造和在诸如半导体基底之类的其他基底上的直接写操作。具体地说，其涉及对图案数据应用修正，诸如修正SLM曝光戳区域中的变形。其可以用于在基底上生产器件。或者，可以将本专利技术实施为实施所公开的方法的器件或者包括用于实施所公开的方法的程序的制造物品，特别是存储器易失存储器或者非易失存储器。在所附说明书、附图和权利要求书中进一步对本专利技术的附加方面进行说明。因此本专利技术的目的是提供用于印制精确图案的改进型图案产生器。凭借根据所述权利要求的、提供SLM中的像素的模拟调制的器件来实现该目的。附图说明图1图解了各向异性偏移(biasing)、各向同性偏移、变形修正、旋转和放大；图2图解了各向异性偏移；图3图解了样本变形图；图4图解了区域采样；图5是采样、重构和重采样的概念框图；图6对图5添加关于图像重采样操控的详情；图7图解了在拐角(corner)沿着等级别强度曲线的梯度；图8图解了对在等级别曲线中所发现的梯度的有用估计；图9图解了如何发现图案中的拐角的确切位置；图10图解了如何发现基本(underlying)二进制图案的假象拐角；图11描述了正方形区域卷积采样器；图12-18描述了跨越特殊强度图和轮廓(profile)而应用图11的卷积采样器的结果；图19A-19B描述了用于重构的样本集；图20图解了通过定义了强度表面的任何位置的参考横截面2010；图21图解了使用相邻线段的延伸以便将第一条线用于交叉点左侧的样本而将第二条线用于交叉点右侧的样本；图22图解了应用于中心样本对的直接两点内插；图23图解了在限制到1和0之后来自图22的相同外插；图24图解了在外插之间带有加权的来自图22的相同外插；图25A-25B图解了如何将一维重构器(reconstructor)扩展为两维；图26图解了定义为节距(pitch)和卷积区域的组合参数化(parameterization)的分辨率；图27描述了奇偶超采样(supersampling)和(aggregation)聚合；图28描述了使用两个不同矢量符号的采样点位移(displacement)；图29描述了AI图值之间的线性内插重构；图30描述了跟随有最近邻居重构方法的AI函数的重采样；图31-35通过一种FPGA实施方式详细图解了实施逻辑的框图；图36图解了区域样本聚合器(ASA)3610；图37描述了在网格(grid)上改变节距的各种近邻；图38是位移矢量产生器的高级框图；图39提供图38中的偏移矢量产生器的附加详情；图40-41呈现在不参照FPGA领域(real estate)的情况下的替代框图；图42-46图解了替代的拐角重定尺寸(resizing)方法，其中图42A-42B图解了从所述拐角产生的等级别轮廓和理想化的矢量定尺寸结果；图43A-43B图解了梯度矢量场的形状，并且表明如果用这种矢量来移动采样点则将是什么样的等效几何区域轮廓；图44A-44B图解了梯度矢量场的形状，并且表明如果用这种矢量来移动采样点则将是什么样的等效几何区域轮廓；图47是拐角提取和增强的高级示意图；图48-49图解了拐角提取器问题；图50描述了根据可以是闭合或者开口的、沿其对强度表面值的变化进行定性和关联的多个搜索路径的存在的方法；图51描述了用与采样网格对准的正方形路径来代替路径w1和w2的近似；图52图解了使用与梯度方向对准的坐标系统根据一阶和二阶导数的分析使用曲率的数学定义的方法；图53图解了诸如从由拐角检测过程所产生的数据中出来的位置、方位和角度之类的属性的拐角估计；图54图解了三种类型的拓扑复杂度；图55图解了拐角位移矢量；图56A-56B图解了如何分解对尺寸偏移位移拐角位移(Dimension BiasCorner Displacement)矢量的聚合分布；以及图57图解了如何导出偏移分量。具体实施例方式参照附图进行下面的详细描述。描述优选实施方式来说明本专利技术，但是不对由权利要求所限定的其范围进行任何限制。本领域的普通技术人员应该理解可以对该描述进行各种等效变体。修正类型在2001年9月12日提交的、题目为“Graphics Engine for High PrecisionLithography”的美国专利申请No.09/954,721中，描述了对矢量图案数据进行光栅化(rasterization)并且将光栅数据转换为镜方位和镜驱动电压，将辐射中继到图像平面并且在掩模上对保护层(resist)进行曝光，直接写的器件或者其他工件，因此将所述专利公开通过参考合并于此。在后续工作中，专利技术者已经开发了使用带有先验(a priori)知识的区域重采样以允许变形修正和特征的各向异性偏移的新方法。这种新方法具有几个应用。图1图解了特征的各向异性偏移110、各向同性偏移120、变形修正130、旋转140和放大150。各向异性偏移是指将特征的X和Y方向(extent)以不同的量进行改变110。各向同性偏移在特征的方向中施加类似的变化120。变形修正在整个图像区域是不一致的。可以将旋转和放大应用于整个图像。此外，可以通过重采样来应对平移误差(translation)误差(未示出)。图2图解了的各向异性偏移。一组各向异性偏移矢量定义方位和位移。可以根据偏移矢量的位移来增加或者减少特征的大小。在一个实施方式中，对于矢量周期(vector circle)的仅仅一个象限确定偏移矢量210，然后将其跨越X和Y轴进行镜像(mirror)。在该图中的实线220图解了各向异性偏移之前的对象几何结构，而虚线230图解了应用该偏移之后的对象几何结构。变形修正是指对跨越图像区域的变本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于调节要由包括多个微元件的器件产生的强度值的方法，所述强度值与矢量图案数据所表示的图案对应，而所述调节与要被应用于图案的修正参数对应，所述方法包括：将矢量图案数据光栅化为被映射到微元件的强度值；确定与修正参数对应的一个 或多个重采样位移矢量；和实时地，将偏移位置处的光栅化的强度值重采样，该偏移位置对应于应用重采样位移矢量，和使用重采样的强度值来控制微元件并且将投影辐射到基底上的辐射敏感层。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：托布乔恩桑德斯特罗姆，马丁奥尔森，马茨罗斯林，
申请(专利权)人：麦克罗尼克激光系统公司，
类型：发明
国别省市：SE[瑞典]