【技术实现步骤摘要】
垂直存储器装置本申请要求于2019年6月20日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0073588号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的内容通过引用全部包含于此。
本专利技术构思涉及垂直存储器装置。更具体地，本专利技术构思涉及具有竖直沟道的非易失性存储器装置。
技术介绍
可以减小垂直存储器装置的每个竖直堆叠的层的尺寸以改善集成度。然而，对于将垂直存储器装置的每层的尺寸缩小超过特定水平存在着局限性。
技术实现思路
本专利技术构思的示例性实施例提供了具有改善的电学特性的垂直存储器装置。根据本专利技术构思的示例性实施例，垂直存储器装置包括设置在基底上并且在与基底的上表面基本上垂直的竖直方向上彼此间隔开的栅电极。沟道在竖直方向上延伸并且相邻于栅电极定位。隧道绝缘图案设置在沟道的外侧壁的部分上。沟道的外侧壁的所述部分与栅电极中的每个相邻。电荷俘获图案结构设置在隧道绝缘图案与栅电极中的每个之间。电荷俘获图案结构中的每个包括在竖直方向上彼此间隔开的上电荷俘获图案和下电荷俘获图案。阻挡图案结构设置在电...
【技术保护点】
1.一种垂直存储器装置，所述垂直存储器装置包括：/n栅电极，设置在基底上并且在与基底的上表面基本上垂直的竖直方向上彼此间隔开；/n沟道，在竖直方向上延伸并且与栅电极相邻地定位；/n隧道绝缘图案，设置在沟道的外侧壁的部分上，沟道的外侧壁的所述部分与栅电极中的每个相邻；/n电荷俘获图案结构，设置在栅电极中的每个与隧道绝缘图案之间，电荷俘获图案结构中的每个包括在竖直方向上彼此间隔开的上电荷俘获图案和下电荷俘获图案；以及/n阻挡图案结构，设置在栅电极中的每个与电荷俘获图案结构之间，/n其中，沟道的与隧道绝缘图案相邻的第一部分在与基底的上表面基本上平行的水平方向上具有比沟道的其它部分的厚度小的厚度。/n
【技术特征摘要】
20190620 KR 10-2019-00735881.一种垂直存储器装置，所述垂直存储器装置包括：
栅电极，设置在基底上并且在与基底的上表面基本上垂直的竖直方向上彼此间隔开；
沟道，在竖直方向上延伸并且与栅电极相邻地定位；
隧道绝缘图案，设置在沟道的外侧壁的部分上，沟道的外侧壁的所述部分与栅电极中的每个相邻；
电荷俘获图案结构，设置在栅电极中的每个与隧道绝缘图案之间，电荷俘获图案结构中的每个包括在竖直方向上彼此间隔开的上电荷俘获图案和下电荷俘获图案；以及
阻挡图案结构，设置在栅电极中的每个与电荷俘获图案结构之间，
其中，沟道的与隧道绝缘图案相邻的第一部分在与基底的上表面基本上平行的水平方向上具有比沟道的其它部分的厚度小的厚度。
2.根据权利要求1所述的垂直存储器装置，其中，隧道绝缘图案包括突出部分，所述突出部分与隧道绝缘图案的任何其它部分相比在水平方向上更加朝向相邻的栅电极突出。
3.根据权利要求2所述的垂直存储器装置，其中：
隧道绝缘图案的突出部分形成在隧道绝缘图案的在竖直方向上的中心部分上，并且
上电荷俘获图案和下电荷俘获图案通过突出部分在竖直方向上彼此间隔开。
4.根据权利要求2所述的垂直存储器装置，其中：
阻挡图案结构中的每个包括在竖直方向上彼此间隔开的上第一阻挡图案和下第一阻挡图案；并且
上第一阻挡图案和下第一阻挡图案通过突出部分在竖直方向上彼此间隔开。
5.根据权利要求4所述的垂直存储器装置，其中，上第一阻挡图案和下第一阻挡图案中的每个的外侧壁具有沿着水平方向的凹进形状。
6.根据权利要求1所述的垂直存储器装置，其中：
隧道绝缘图案包括从沟道的外侧壁沿着水平方向顺序地堆叠的第一部分至第三部分，第一部分在竖直方向上具有第一宽度，第二部分在竖直方向上具有第二宽度，第三部分在竖直方向上具有第三宽度；并且
第一宽度比第二宽度大，第二宽度比第三宽度大。
7.根据权利要求6所述的垂直存储器装置，其中：
隧道绝缘图案的第一部分的内侧壁接触沟道并且在竖直方向上延伸；并且
隧道绝缘图案的第三部分在水平方向上从第二部分朝向相邻的栅电极突出。
8.根据权利要求1所述的垂直存储器装置，其中，上电荷俘获图案和下电荷俘获图案中的每个的外侧壁具有沿着水平方向的凹进形状。
9.根据权利要求1所述的垂直存储器装置，其中，隧道绝缘图案包括在竖直方向上彼此间隔开的多个隧道绝缘图案。
10.根据权利要求9所述的垂直存储器装置，其中：
隧道绝缘图案的最上面的表面比与该隧道绝缘图案对应的电荷俘获图案结构的最上面的表面和与该隧道绝缘图案对应的阻挡图案结构的最上面的表面高；并且
隧道绝缘图案的最下面的表面比与该隧道绝缘图案对应的电荷俘获图案结构和阻挡图案结构的最下面的表面低。
11.根据权利要求1所述的垂直存储器装置，所述垂直存储器装置还包括：
第二阻挡图案，覆盖栅电极中的每个的上表面、下表面和一个侧壁，栅电极的所述一个侧壁与沟道相邻，
其中，第二阻挡图案与隧道绝缘图案和阻挡图案结构直接接触。
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