SONOS存储器及其制造方法技术

本发明专利技术提供了一种SONOS存储器及其制造方法，其中所述SONOS存储器的制造方法包括：首先，提供一衬底，且所述衬底上形成有控制栅；其次，刻蚀所述控制栅一侧的所述衬底，形成L型沟槽；然后，在所述L型沟槽上形成ONO介质层，所述ONO介质层包括第一氧化层、氮化硅层以及第二氧化层，所述第一氧化层和所述氮化硅层均为L型结构；最后，通过源漏离子注入工艺在所述控制栅和所述ONO介质层两侧的衬底上形成源极及漏极。通过上述方法制得的SONOS存储器具有更高的电荷存储能力、更低的操作电压以及能够降低源漏极被击穿的可能性。

【技术实现步骤摘要】
SONOS存储器及其制造方法
本专利技术涉及集成电路制造
，特别涉及一种SONOS存储器及其制造方法。
技术介绍
非易失性存储器(NonvolatieMemoryDevice，NVM)包括掩模可编程只读存储器(MROM)、可擦除可编程只读存储器（EPROM)、电可擦可编程只读存储器(EEPROM)及闪存(Flash)等。浮栅结构的闪存，其采用多晶硅存储电荷，要保证浮栅(Floatinggate，FG)相对于控制栅(Controlgate，CG)有较高的电容耦合系数，会使浮栅和控制栅的叠层厚度过大，而随着半导体存储器尺寸的缩小，所述浮栅结构的闪存与CMOS器件整合在一起会越来越困难。而SONOS(Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon，硅/二氧化硅/氮化硅/二氧化硅/硅)存储器不存在电容耦合机制，对氮化硅的厚度无限制，其叠层高度仅为浮栅结构的闪存的一半，克服了浮栅的技术瓶颈。SONOS存储器相对于浮栅结构的闪存，可以和标准的CMOS工艺完美兼容。但是SONOS存储器容易出现源漏极被击穿本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种SONOS存储器的制造方法，其特征在于，包括：/n提供一衬底，且所述衬底上形成有控制栅；/n刻蚀所述控制栅一侧的所述衬底，形成L型沟槽，所述L型沟槽包括沟槽底壁以及沟槽侧壁，所述沟槽底壁靠近所述控制栅的一端与所述沟槽侧壁的底端连接；/n在所述L型沟槽上形成ONO介质层，所述ONO介质层包括第一氧化层、氮化硅层以及第二氧化层，所述第一氧化层和所述氮化硅层均为L型结构，并且，所述第一氧化层覆盖所述控制栅的侧壁、所述沟槽侧壁以及所述沟槽底壁的部分区域，所述氮化硅层覆盖所述第一氧化层，所述第二氧化层覆盖所述氮化硅层；以及，/n通过源漏离子注入工艺在所述控制栅和所述ONO介质层两侧的衬底上形成源...

【技术特征摘要】
1.一种SONOS存储器的制造方法，其特征在于，包括：
提供一衬底，且所述衬底上形成有控制栅；
刻蚀所述控制栅一侧的所述衬底，形成L型沟槽，所述L型沟槽包括沟槽底壁以及沟槽侧壁，所述沟槽底壁靠近所述控制栅的一端与所述沟槽侧壁的底端连接；
在所述L型沟槽上形成ONO介质层，所述ONO介质层包括第一氧化层、氮化硅层以及第二氧化层，所述第一氧化层和所述氮化硅层均为L型结构，并且，所述第一氧化层覆盖所述控制栅的侧壁、所述沟槽侧壁以及所述沟槽底壁的部分区域，所述氮化硅层覆盖所述第一氧化层，所述第二氧化层覆盖所述氮化硅层；以及，
通过源漏离子注入工艺在所述控制栅和所述ONO介质层两侧的衬底上形成源极及漏极。


2.如权利要求1所述的SONOS存储器的制造方法，其特征在于，在形成所述ONO介质层之前还包括：在所述沟槽底壁上进行轻掺杂离子注入工艺，以形成轻掺杂区。


3.如权利要求2所述的SONOS存储器的制造方法，其特征在于，所述轻掺杂区的深度大于所述漏极的离子注入深度。


4.如权利要求1所述的SONOS存储器的制造方法，其特征在于，所述L型沟槽的深度大于所述源...

【专利技术属性】
技术研发人员：葛成海，李庆民，林滔天，祝进专，
申请(专利权)人：晶芯成北京科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11