非挥发性存储器结构制造技术

本发明专利技术公开一种非挥发性存储器结构，其包括基底、堆叠结构、导体柱、通道层、电荷存储结构与第二介电层。堆叠结构设置在基底上，且具有开口。堆叠结构包括交替堆叠的多个第一导体层与多个第一介电层。导体柱设置在开口中。通道层设置在堆叠结构与导体柱之间。电荷存储结构设置在堆叠结构与通道层之间。第二介电层设置在通道层与导体柱之间。上述非挥发性存储器结构可有效地提升存储器元件的电性效能及可靠度。

【技术实现步骤摘要】
非挥发性存储器结构
本专利技术涉及一种存储器结构，且特别是涉及一种非挥发性存储器结构。
技术介绍
由于非挥发性存储器(non-volatilememory)可进行多次数据的存入、读取与抹除等操作，且具有当电源供应中断时，所存储的数据不会消失、数据存取时间短以及低消耗功率等优点，所以已成为个人计算机和电子设备所广泛采用的一种存储器。然而，随着非挥发性存储器的集成度不断提升，如何提升存储器元件的电性效能及可靠度为目前业界所持续努力的目标。
技术实现思路
本专利技术提供一种非挥发性存储器结构，其可有效地提升存储器元件的电性效能及可靠度。本专利技术提出一种非挥发性存储器结构，包括基底、堆叠结构、导体柱、通道层、电荷存储结构与第二介电层。堆叠结构设置在基底上，且具有开口。堆叠结构包括交替堆叠的多个第一导体层与多个第一介电层。导体柱设置在开口中。通道层设置在堆叠结构与导体柱之间。电荷存储结构设置在堆叠结构与通道层之间。第二介电层设置在通道层与导体柱之间。依照本专利技术的一实施例所述，在上述非挥发性存储器结构中，第本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种非挥发性存储器结构，其特征在于，包括：/n基底；/n堆叠结构，设置在所述基底上，且具有开口，其中所述堆叠结构包括交替堆叠的多个第一导体层与多个第一介电层；/n导体柱，设置在所述开口中；/n通道层，设置在所述堆叠结构与所述导体柱之间；/n电荷存储结构，设置在所述堆叠结构与所述通道层之间；以及/n第二介电层，设置在所述通道层与所述导体柱之间。/n

【技术特征摘要】
20190515 TW 1081167541.一种非挥发性存储器结构，其特征在于，包括：
基底；
堆叠结构，设置在所述基底上，且具有开口，其中所述堆叠结构包括交替堆叠的多个第一导体层与多个第一介电层；
导体柱，设置在所述开口中；
通道层，设置在所述堆叠结构与所述导体柱之间；
电荷存储结构，设置在所述堆叠结构与所述通道层之间；以及
第二介电层，设置在所述通道层与所述导体柱之间。


2.如权利要求1所述的非挥发性存储器结构，其中所述多个第一导体层的材料包括金属或掺杂多晶硅。


3.如权利要求1所述的非挥发性存储器结构，其中所述多个第一介电层的材料包括氧化硅。


4.如权利要求1所述的非挥发性存储器结构，其中所述导体柱的材料包括金属或掺杂多晶硅。


5.如权利要求1所述的非挥发性存储器结构，其中所述通道层还可设置在所述导体柱与所述基底之间。


6.如权利要求1所述的非挥发性存储器结构，其中所述通道层的材料包括多晶硅。


7.如权利要求1所述的非挥发性存储器结构，其中所述电荷存储结构包括：
电荷存储层，设置在所述堆叠结构与所述通道层之间；
第三介电层，设置在所述堆叠结构与所述电荷存储层之间；以及
第四介电层，设置在所述电荷存储层与所述通道层之间。


8.如权利要求7所述的非挥发性存储器结构，其中所述电荷存储层包括电荷捕捉层。


9.如权利要求7所述的非挥发性存储器...

【专利技术属性】
技术研发人员：王子嵩，马晨亮，
申请(专利权)人：力晶积成电子制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71